Vishay推出采用芯片級MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET Si8499DB

    日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出首款采用芯片級MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面積內，這款20V器件提供業內P溝道MOSFET最低的導通電阻。

    新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P溝道技術的首款芯片級產品。這種最先進的技術能夠實現超精細、亞微米的節距工藝，將業內P溝道MOSFET所能實現的最低導通電阻減小了一半：在4.5V、2.5V、2V和1.8V電壓下的導通電阻分別為32 mΩ、46mΩ、65mΩ和120mΩ。

    Si8499DB采用第三代TrenchFET P溝道技術，器件的芯片級封裝具有最大的裸片與占位比，在非常緊湊的器件內提供了超低導通電阻。MICRO FOOT封裝所需的PCB面積只有TSOP-6的1/6，而導通電阻則很相近，從而為其他產品功能騰出空間，或是使終端產品變得更小。

    MOSFE的低導通電阻意味著負載、充電器和電池開關中更低的壓降，使智能手機、PDA和MP3播放器等個人手持設備能夠更快地充電，在兩次充電之間的電池壽命更長。

    MOSFET符合IEC 61249-2-21的無鹵素規范，符合RoHS指令2002/95/EC。

    Si8499DB TrenchFET功率MOSFET現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十六周。

    VISHAY簡介

    Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富 1,000 強企業”，是全球分立半導體（二極管、整流器、MOSFET、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫療市場的各種類型的電子設備。憑借產品創新、成功的收購戰略，以及“一站式”服務使 Vishay 成為了全球業界領先者。■