Vishay推出新款通過AEC-Q101認證的30V和40V P溝道MOSFET,有效提高板級可靠性
汽車級器件導通電阻低至4.4 m,采用業內超薄鷗翼引線結構5 mm x 6 mm緊湊型PowerPAK® SO-8L封裝
賓夕法尼亞、MALVERN—2019年3月7日—日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代號:VSH)宣布,推出新款30 V和40 V汽車級p溝道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ407EP和SQJ409EP,采用鷗翼引線結構PowerPAK®SO-8L封裝,有效提升板級可靠性。SQJ407EP和SQJ409EP通過AEC-Q101認證,占位面積比DPAK封裝器件減小50%以上,節省PCB空間并降低成本,同時導通電阻低于任何鷗翼引線結構5 mm x 6 mm封裝MOSFET。
由于需要很高功率,12 V汽車系統馬達驅動和主電源要求MOSFET在各種應用中具有極低的導通電阻,如電池反向極性保護和高邊開關。Vishay Siliconix-30 V SQJ407EP和-40 V SQJ409EP在10 V條件下,導通電阻分別為4.4 m和7.0 m,完全可以滿足這種要求。此外,作為p溝道MOSFET,兩款器件是理想的負載開關,不需要電荷泵提供n溝道器件所需的正向柵壓。
日前發布的MOSFET工作溫度可達+175 C,同時鷗翼引線結構可緩解溫度循環過程中、主板彎曲、振動和意外跌落產生的機械應力,與剛性QFN封裝相比,具有更加優異的板級可靠性。鷗翼引線結構還有助于自動光學檢測(AOI)過程獲得更加一致可靠的結果。
器件采用無鉛(Pb)封裝、無鹵素、符合RoHS標準,經過100%Rg和UIS測試。
SQJ407EP和SQJ409EP現可提供樣品并已實現量產。
VISHAY簡介
Vishay Intertechnology,Inc.是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富1000強企業”,是全球分立半導體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業、計算、汽車、消費、通信、國防、航空航天、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產品創新、成功的收購戰略,以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細信息,敬請瀏覽網站www.vishay.com。
TrenchFET和PowerPAK是Siliconix公司的注冊商標
http:www.mangadaku.com/news/2019-3/201932017756.html

