Vishay Siliconix推出雙P溝道功率MOSFET

該器件將第三代P溝道TrenchFET®技術延伸至超小封裝，
在2mmx2mm的占位面積內用兩個20V P溝道功率MOSFET將導通電阻最多可減少44%

    日前，Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出具有兩個20V P溝道的第三代TrenchFET®功率MOSFET---SiA921EDJ，其導通電阻是目前所有雙P溝道器件當中最小的，所采用的熱增強PowerPAK®SC-70封裝的占位面積只有2mmx2mm。

    SiA921EDJ在4.5V和2.5V條件下分別具有59mΩ和98mΩ的超低導通電阻。第三代TrenchFET® MOSFET的低導通電阻意味著更低的傳導損耗，使器件在開關時比市場上任何雙P溝道功率MOSFET所消耗的能量都要少。

    而其他最接近的P溝道器件在4.5V柵極驅動電壓、大于12V的柵源額定電壓下的導通電阻為95mΩ，在2.5V驅動電壓下的導通電阻為141mΩ，分別比SiA921EDJ高38%和44%。PowerPAK® SC-70封裝的占位面積為2mmx2mm，只有TSOP-6封裝尺寸的一半，而導通電阻則不相上下。

    通過推出SiA921EDJ，Vishay將第三代P溝道TrenchFET®技術應用到適用于手持式電子產品的超小封裝中。新器件可用于DC-DC降壓轉換器，以及手機、智能手機、PDA和MP3播放器等便攜式設備中的負載、功放和電池開關。SiA921EDJ更低的導通電阻意味著更少的功耗，節約電能并延長這些設備在兩次充電期間的電池壽命。

    SiA921EDJ TrenchFET®功率MOSFET符合IEC 61249-2-21的無鹵素規定。該器件現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為10至12周。

VISHAY SILICONIX簡介

    Vishay Siliconix是現今世界上排名第一的低壓功率MOSFET和用于在計算機、蜂窩電話和通信基礎設備的管理和功率轉換以及控制計算機磁盤驅動和汽車系統的固態開關的供應商。Vishay Siliconix的硅技術和封裝產品的里程碑，包括在業內建成第一個基于槽硅工藝（TrenchFET®）的功率型MOSFET和業內第一個小型的表面貼裝的功率型MOSFET(LITTLE FOOT®)。

    創新的傳統不斷的衍生出新的硅技術，例如被設計用來在直流電到直流電的轉換和負荷切換的應用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技術，以及可以滿足客戶需求的更佳熱性能(PowerPAK®)和更小空間(ChipFET®，MICRO FOOT®)新的封裝選擇。除了功率MOSFET外，Vishay Siliconix的產品還包括功率集成電路和業界最杰出的模擬交換和多路復用器的線路。Vishay Siliconix功率集成電路的發展不僅專注于應用在蜂窩電話、筆記本計算機、和固定電信基礎設備的功率轉換元件，而且也同樣關注低電壓、約束空間的新型模擬開關集成電路。

    Siliconix創建于1962年，在1998年Vishay購買了其80.4%的股份使其成為Vishay子公司。

VISHAY簡介

    Vishay Intertechnology,Inc.是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1,000強企業”，是全球分立半導體（二極管、整流器、晶體管、光電器件及某些精選IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫療市場的各種類型的電子設備。憑借產品創新、成功的收購戰略，以及提供“一站式”服務的能力使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網站www.vishay.com。
TrenchFET®和PowerPAK®是Siliconix Incorporated 的注冊商標 ■