4G牌照的發放為業界帶來一片光明。發牌既標志著4G新時代的開篇,也是我國在3G時代技術積淀收獲的“碩果”。幾度浮沉的芯片廠商,或將在新的時間節點下完成新的“使命必達”。
邁向新制程
隨著TD-LTE產業成熟和商用推廣,未來TD-LTE芯片和終端需進一步提升性能,TD-LTE芯片將逐漸向28nm演進。
全產業鏈的相對成熟是4G發牌時必需的考量,雖然在芯片環節還受限于多模多頻的挑戰,但一個顯見的事實是制程工藝成熟度的提升是突破這一瓶頸的關鍵。大唐電信集團董事長真才基就對記者表示,從芯片角度來看,4G終端芯片將聚集在28nm制程,中芯國際的28nm技術已經成熟,能夠與4G發展的要求相匹配。希望中國4G終端芯片能夠較長時間穩定在28nm工藝上發展,因其產業化平臺越長,對提高終端供給能力越有好處。
在3G時代早期,多模TD芯片廠商基本采用65nm甚至90nm制程,導致成本功耗居高不下,一直阻礙著TD-SCDMA的發展。但隨著TD-LTE時代的到來,隨著多模多頻基帶以及平臺芯片復雜度的提高,以及成本、功耗要求的不斷提高,如果說TD-LTD芯片的發展要汲取教訓的話,那顯然28nm制程將成為未來芯片廠商采取的主要技術。
聯芯科技副總裁劉積堂也強調,對于TD-LTE芯片市場來說,在產業發展初期,基于40nm工藝芯片的數據類終端可以滿足TD-LTE應用需求。隨著TD-LTE產業成熟和商用推廣,未來TD-LTE芯片和終端需進一步提升性能,TD-LTE芯片將逐漸向28nm演進,以提供更佳的用戶體驗。聯芯正在研發的四核五模十頻TD-LTE芯片預計年底推出,將采用28nm工藝。
締造新空間
LTE FDD牌照暫未發放,以及中移動TD-LTE終端策略的改變,為國內芯片帶來一個“拾遺補缺”的“空間”。
在4G牌照中,中國移動、中國聯通、中國電信首批均獲得TD-LTE網絡經營許可,LTE FDD牌照暫未發放,這為國內芯片帶來一個“拾遺補缺”的“空間”。TD產業聯盟秘書長楊驊就曾指出,國內企業由于緊靠中國移動的TD-SCDMA市場支撐,在LTE FDD領域積累相對不足,因而可先發展TD-LTE來滿足客戶的需求,當發展到一定程度需要LTE FDD頻譜使用的時候,再引入LTE FDD制式,這樣就會給國內企業一段時間去補LTE FDD的課,以具備為LTE FDD和TD-LTE同時提供服務的能力。
此外,中移動TD-LTE終端策略的改變也帶來利好。據了解,中移動TD-LTE終端策略發生了重大調整,不再堅持“五模十頻”的硬指標,明年年初將會引入“三!碑a品。楊驊指出,這大大降低了技術門檻,還可將4G芯片和專利費節省下來,國內芯片廠商也將迎來更大的發展空間。同時,這有助于中移動推“三!钡那г悄軝C,加快4G普及速度。Marvell全球副總裁李春潮說,Marvell千元采用其TD-LTE/TD-SCDMA/GSM三模芯片方案將于第一季度推出,預計明年上半年,中國就會出現大量千元4G手機。
對于另兩大運營商的需求,李春潮指出,中國電信對4G終端有不同需求,數據卡之類的產品并不需要CDMA。如果是智能終端,對4G手機的要求是同時兼容FDD-LTE、CDMA2000、GSM,Marvell的解決方案是“雙芯片”方案,比如用其PXA1088 LTE再外接CDMA的調制解調器,Marvell也會與中國電信探討合作!爸袊撏壳捌4G終端方案與國際主流FDD運營商需求差別不大,Marvell目前的五模平臺可以滿足其需求!崩畲撼边M一步指出,“目前,Marvell的重點是加強與中國移動合作,按需、按時地把我們的方案推廣到市場上!
需要注意的事,雖然國內廠商暫時可以“放風”,但著眼于長遠還是要提早布局LTE融合及演進之道!癟D-LTE和LTE FDD很大程度是融合的,兩種技術在L2層以上的規范都是一樣的,只是在底層幀結構有所不同。從長遠來看,無論是4G或是將來的5G,都會在TD-LTE和LTE FDD兩種平臺平衡發展。從芯片的角度講,開發工作要與新技術和新標準同步進行! Marvell移動產品總監張路表示,“LTE在加速演進,LTE-A明年就會在北美和歐洲開始商用,中國芯片廠商還應做相應的技術儲備和產品研發!
引發新挑戰
具有強大數據和多媒體能力的高集成度智能手機芯片將是市場發展的主要方向,此外,在功耗、面積、成本方面需要不斷提升。
TD-LTE芯片主要分成調制解調器和智能平臺這兩類形態。張路提到,調制解調器芯片主要應用于高端智能手機,無線上網卡、Mi-Fi、Dongle和物聯網等;單芯片解決方案則應用于手機和平板電腦等智能終端。雖然產品還會以這些形態出現,但技術還會不斷發展。
除了要求基帶和射頻支持多模多頻之外,從發展來看,TD-LTE智能終端還需應用處理器具備強大的數據與多媒體處理能力。聯發科技中國區總經理章維力說,在4G時代,數據流量的爆發和智能手機多媒體化的發展成為主流特征,具有強大數據和多媒體能力的智能手機芯片將是市場發展的主要方向。
此外功耗的降低和芯片面積的減少也是“必由之路”。有專家指出,一方面,相比2G、3G技術,LTE高速的數據傳輸處理和特有的天線技術,都需要消耗更多的功耗,但用戶對終端設備電池續航能力的要求卻在不斷提高;另一方面,技術的復雜度也在一定程度上增加了LTE芯片的面積,隨著終端支持的頻段增多,通常射頻芯片需提供的接收通道也會增加,頻段增加影響射頻前端器件的數量,因此,多頻段引入將增加終端射頻前端器件成本。但終端設備的輕薄化和外觀設計的時尚化,都需要盡可能壓縮主板面積,功耗和面積已成為重要的挑戰。
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來源:互聯網
http:www.mangadaku.com/news/46678.htm

