隨著新能源產業的發展,光伏發電市場應用越來越廣。為實現電網穩定、可靠的運行,聯網逆變器作為太陽能安裝關鍵組成部分,必須能夠保證所輸送電能的質量以及整個電網的穩定性。為保證與這些要求同步發展,電網運營商將發布新的各制造商均需遵守的電網運行守則,以監督不斷增加的使用量。逆變器制造商所面臨的另一個難題是各國的相關政策法規都不盡相同,在大多數情況下,甚至在相同地點的不同項目都要遵循不同的規章制度。本文就這些新的發展趨勢分析了聯網光伏逆變器所面臨的各種新挑戰。
聯網逆變器制造商所面臨的一個亟待解決的問題是他們必須遵守各國幾乎均不相同的光伏設備聯網技術要求。例如,歐洲各國對于聯網接口有著各自不同的要求。德國實行是VDE0126-1標準下的"發電裝置與公共低壓電網之間自動切斷裝置"規定;意大利則要求各家遵守Enel(國家電力公司)制定的DK5940號標準,"電廠聯網標準"等。所有這些國家和地區的標準都對逆變器從電網斷開的電壓及頻率變化有著不同的要求。除了對故障穿越等不同系統的參數進行必要的調整以外,此種現狀還導致了較高的生產成本。
就技術層面來看,直至目前為止,常見的逆變器設計是以下列參數作為標準的:溫度范圍在-25至50℃之間;估算使用期限在20年左右;轉換率通常在94%以上;具有電磁兼容性;成本較低;可靠性較高;可承載所有電網故障;功率因數趨近于1;同時可進行最大功率點跟蹤(MPPT)。
目前,大多數逆變器的功能是在開關轉換器處將光伏設備所產出的直流電壓轉換成正弦交流電流波形,以保證發電器和公共電網之間的連接與同步性。但是,這種功能隨后發生了改變。新的標準在各種程度上對光伏逆變器提出了不同的要求:對效率、成本及穩定性等關鍵特征的發展;與碳化硅、氮化鎵等新材料的兼容性;與微型逆變器等創新型技術的整合;有效的最大功率點跟蹤控制功能;以及遵循如"反孤島效應"測試等各種新規范。
在對硅基MOSFET等新材料的要求方面,SiC技術在碳化物領域發生了顯著的改變,使得MOSFET(金氧半場效晶體管)的生產能力遠超出了相類似的硅絕緣柵雙極型晶體管(insulated-gatebipolartransistor,簡稱IGBT),特別是在高壓高溫的條件下。這就為改善光伏逆變器效率提供了一個可行之路。
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