全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產品組合，提供完整的中壓器件系列，它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優化銅夾和焊接芯片技術。
新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術來實現基準性能，適用于網絡和電信設備的DC-DC轉換器、AC-DC開關電源（SMPS）及電機驅動開關等開關應用。由于新器件滿足40V到250V的寬泛電壓，所以可提供不同水平的導通電阻（RDS(on)）和柵極電荷（Qg），為客戶的特定應用提供優化的性能和更低成本。
IR 亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：“由于新器件的尺寸僅為0.9mm，并具有標準引腳，可提供高額定電流和低導通電阻，因此與需要多個并行元件的解決方案相比，具有更高的效率、功率密度和可靠性，因而非常適合電路板空間狹小的開關應用。”
所有器件都具有低熱阻（不到0.5 °C/W），符合MSL1 標準，所采用的環保材料既不含鉛、溴或鹵，也符合有害物質管制指令 (RoHS) 。
產品基本規格
|
器件編號 |
封裝 |
電壓 |
電流 |
導通電阻 |
柵極電荷類型 |
柵極 |
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IRFH5004TRPBF |
PQFN 5x6mm |
40 V |
100A |
2.6 mOhm |
73 nC |
標準 |
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IRFH5006TRPBF |
PQFN 5x6mm |
60 V |
100A |
4.1 mOhm |
67 nC |
標準 |
|
IRFH5106TRPBF |
PQFN 5x6mm |
60 V |
100A |
5.6 mOhm |
50nC |
標準 |
|
IRFH5206TRPBF |
PQFN 5x6mm |
60 V |
98A |
6.7 mOhm |
40 nC |
標準 |
|
IRFH5406TRPBF |
PQFN 5x6mm |
60 V |
40A |
14.4 mOhm |
23 nC |
標準 |
|
IRFH5007TRPBF |
PQFN 5x6mm |
75 V |
100A |
5.9 mOhm |
65 nC |
標準 |
|
IRFH5207TRPBF |
PQFN 5x6mm |
75 V |
71A |
9.6 mOhm |
39 nC |
標準 |
|
IRFH5010TRPBF |
PQFN 5x6mm |
100 V |
100A |
9.0 mOhm |
65 nC |
標準 |
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IRFH5110TRPBF |
PQFN 5x6mm |
100 V |
63A |
12.4 mOhm |
48 nC |
標準 |
|
IRFH5210TRPBF |
PQFN 5x6mm |
100 V |
55A |
14.9 mOhm |
39 nC |
標準 |
|
IRFH5015TRPBF |
PQFN 5x6mm |
150 V |
56A |
31 mOhm |
33 nC |
標準 |
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IRFH5020TRPBF |
PQFN 5x6mm |
200 V |
41A |
59 mOhm |
36 nC |
標準 |
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IRLH5034TRPBF |
PQFN 5x6mm |
40 V |
100A |
最大2.4 mOhm |
43 nC |
邏輯電平 |
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IRLH5036TRPBF |
PQFN 5x6mm |
60 V |
100A |
最大4.4 mOhm |
44 nC |
邏輯電平 |
|
IRLH5030TRPBF |
PQFN 5x6mm |
100 V |
100A |
最大9.0 mOhm |
44 nC |
邏輯電平 |
來源：國際整流器公司
http:www.mangadaku.com/news/2010-7/201072134843.html
0755-82905460
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