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功率場效應(yīng)晶體管MOSFET（一）

摘要：文中闡述了MOSFET的結(jié)構(gòu)、工作原理、靜態(tài)、動態(tài)特性，并對動態(tài)特性的改進進行了論述，簡介了MOSFET的驅(qū)動電路及其發(fā)展動態(tài)。分析了功率MOSFET的幾種驅(qū)動電路的技術(shù)特性和功率損耗，闡述了功率MOSFET。介紹了新一代MOSFET—QFET的主要技術(shù)特性，闡述了MOSFET器件的發(fā)展趨勢和研發(fā)動態(tài)及變換器領(lǐng)域應(yīng)用的優(yōu)勢。 敘詞：MOSFET 結(jié)構(gòu) 特性 驅(qū)動電路 功率損耗 應(yīng)用 Abstract：This paper elaborate　MOSFET frame、work elements、static state、dynamic characteristic，right dynamic characteristic improve on carry out discuss，brief introduction MOSFET drive circuit and develop dynamic。analyze drive circuit technique characteristic and power loss for power MOSFET，elaborate power MOSFET develop current and research dynamic and parts of an apparatus　apply advantage indeflector field。。 Keyword：MOSFET frame characteristic drive circuit power loss apply

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