Vishay將在2014年中國（成都）電子展 展出業界最先進技術

    日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，將在7月10日至12日成都世紀城新國際會展中心舉行的2014年中國（成都）電子展夏季會上展出一系列技術。在3號展廳A21A展位，該公司將展出其最新的創新產品，包括無源元件、二極管、功率MOSFET、功率IC和光電子產品。

    在2014年中國（成都）電子展上，Vishay Siliconix將展出在4.5V柵極驅動下導通電阻低至0.00135Ω的TrenchFET® 第四代 MOSFET，提高效率的500V、600V和650V E系列器件，小尺寸、高功率密度，通過AEC-Q101認證的采用PowerPAK® SO8L封裝的SQ系列MOSFET。重點展出的功率IC包括在不到180mm2面積內實現超過93%效率的2.8V～5.5V降壓穩壓器，具有超快瞬態響應的4.5V～15V microBUCK®穩壓器，集成了TrenchFET功率MOSFET的3V～28V穩壓器，以及采用5mm x 5mm雙側冷卻封裝的高密度70A DrMOS功率級。

    針對汽車、商業和電信應用，Vishay Semiconductors將著重展示采用各種超薄封裝的二極管，包括采用SMPA(DO-221BC)和SMPD(TO-263AC)封裝的45V～120V TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器，采用SlimSMA(DO-221AC)和SMF (DO-219AB)封裝的FRED Pt®超快恢復整流器。另外，Vishay還將展示采用無焊膏壓合技術的EMIPAK-2B封裝的電源模塊。Vishay Semiconductors的光電子產品將是另一個亮點，例如白光高亮度、高功率LED模塊，高亮度0402和0603尺寸的ChipLED，PLCC2封裝的SMD LED，以及全集成的接近和環境光傳感器。

    Vishay的無源元件將包括各種最新的傳感器和電阻。在突出位置展出的電阻包括具有模壓外殼的Vishay Dale Power Metal Strip®電池分流電阻，具有長型端子焊盤和增強熱循環的通過AEC-Q200認證的Vishay Draloric厚膜片式電阻，用于安全氣囊和焰火的Vishay Sfernice塊狀電煙火起爆器片式(MEPIC)電阻，通過AEC-Q200認證的用于DC-link應用的表面貼裝厚膜功率電阻；Vishay Dale薄膜片式電阻和公差只有0.01%的分壓器，以及Vishay MCB的水冷繞線電阻。

    特色電容器包括通過AEC-Q200認證的工作溫度可達+150℃的Vishay Vitramon多層陶瓷片式電容器(MLCC)，Vishay Sprague高溫固鉭表面貼裝電容器和通過AEC-Q200認證的小尺寸0603的器件，Vishay BCcomponents的使用壽命長達6000小時的表面貼裝鋁電容器和用于汽車的陶瓷盤式安規電容器，Vishay ESTA功率電子電容器，用于DC-link應用的Vishay Roederstein聚丙烯膜電容器。

    另外，Vishay將在2014年中國（成都）電子展的展位進行兩項產品演示。Vishay Siliconix將演示SiHP22N60E 600V E系列N溝道功率MOSFET。Vishay Semiconductors將演示手勢控制傳感器，電路板包括VCNL4020接近傳感器和兩個VSMF2890RGX01紅外發射器。<