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Vishay發布新款具有“R”失效率的QPL鉭氮化物薄膜片式電阻

2013/7/2 15:48:14   電源在線網
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    日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出通過MIL-PRF-55342認證的新系列QPL表面貼裝片式電阻---E/H(Ta2N),該電阻具有公認的高可靠性,失效率達到每1000小時0.01%的“R”級。新款E/H(Ta2N)電阻采用耐潮的鉭氮化物電阻膜技術制造,為軍工和航天應用提供了更好的規格指標,包括0.1%的公差和25ppm/℃的TCR。

Vishay發布新款具有“R”失效率的QPL鉭氮化物薄膜片式電阻

    日前推出的Vishay Dale薄膜QPL電阻適用于軍工和航天應用的控制系統,在這些場合下,工作過程中的潮氣或長時間存放都是需要考慮的問題。器件的鉭氮化物電阻膜使器件的耐潮能力超過MIL-PRF-55342規定限值的50倍。

    E/H(Ta2N)薄膜電阻具有小于25dB的超低噪聲,以及低至0.5ppm/V的電壓系數。電阻的卷繞端接采用牢固的粘附層,覆蓋一層電鍍鎳柵層,使器件可在+150℃溫度下工作,而粘附層產生的電阻還不到0.010Ω。

    器件有M55342/01~M55342/12共12種外形尺寸,功率等級為50mW~1000mW,工作電壓為30V~200V,根據公差,阻值范圍49.9Ω~3.3MΩ。<

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