IGBT業(yè)者正積極搶進(jìn)600伏特以下的低電壓應(yīng)用。全球經(jīng)濟(jì)不穩(wěn)定，加上主要應(yīng)用市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈，使得IGBT產(chǎn)業(yè)近來(lái)成長(zhǎng)趨緩。為開(kāi)創(chuàng)成長(zhǎng)新契機(jī)，IGBT業(yè)者遂致力研發(fā)適合低電壓應(yīng)用領(lǐng)域的新技術(shù)與產(chǎn)品方案，甚至朝向12寸晶圓制造發(fā)展。
受到全球政府降低再生能源及運(yùn)輸支出的影響，絕緣閘雙極電晶體（IGBT）元件及模組制造商紛紛陷入艱困處境。據(jù)Yole Developpement統(tǒng)計(jì)，大多IGBT制造商、封裝公司和相關(guān)的被動(dòng)元件制造廠在2012年出現(xiàn)衰退（圖1），因而促使相關(guān)業(yè)者改變IGBT晶圓、封裝等生產(chǎn)策略，期將產(chǎn)業(yè)帶回先前快速的成長(zhǎng)軌道上。
拓展低電壓市場(chǎng) IGBT廠生產(chǎn)策略轉(zhuǎn)變
現(xiàn)階段，幾乎所有 IGBT制造商都在600伏特（V）以上相關(guān)電力電子應(yīng)用市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，范圍由太陽(yáng)能逆變器（Inverter）到馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器。現(xiàn)有主要業(yè)者如位于德國(guó)的英飛凌（Infineon）、日本東京的三菱電機(jī)（Mitsubishi Electric），以及具備可提供阻擋高達(dá)3，300伏特電壓元件優(yōu)勢(shì)的富士電機(jī)（Fuji Electric）。這些業(yè)者同時(shí)也跨足1，700伏特以下中電壓應(yīng)用領(lǐng)域；此一市場(chǎng)，可謂業(yè)界競(jìng)爭(zhēng)最激烈的應(yīng)用領(lǐng)域，因?yàn)閹缀跛?A href="http://www.mangadaku.com/news/42107.htm">電力電子元件造商，皆可提供1，700伏特以下應(yīng)用的IGBT元件。不過(guò)，若以營(yíng)收計(jì)算，600～900伏特的產(chǎn)品才是市場(chǎng)產(chǎn)值最大的貢獻(xiàn)來(lái)源。
隨著主流市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)日益嚴(yán)峻，有些公司開(kāi)始想進(jìn)入超越傳統(tǒng)范圍下緣的新領(lǐng)域，積極往200～600伏特低電壓區(qū)間移轉(zhuǎn)，以達(dá)到更大量的應(yīng)用，如白色家電產(chǎn)品和相機(jī)閃光燈。然而，超級(jí)接面高效能金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體（Super Junction MOSFET）已應(yīng)用于此電壓區(qū)間，意味著IGBT產(chǎn)品要進(jìn)入市場(chǎng)將有一些挑戰(zhàn)，且制造商也將面臨極大的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)壓力。<
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