我國LED產業發展已初具規模

    2003年中國LED總產量為200億顆，行業發展十年后，國內外延和芯片廠家發展到近百家，2011年年度LED產值為1560億元，其中外延和芯片部分產值為65億元。

    10年前，曾經險些被邊緣化的LED產業，依托藍光的出現和大功率技術的突破，以及強有力的政策支持，迎來了蓬勃發展的春天。當前LED產業已成為最具發展前景的新興產業之一，是新一代信息技術和節能環保兩個戰略性新興產業的重要組成部分。10年的發展，我國LED產業規�？焖僭鲩L，技術創新能力不斷提高，應用領域逐步擴大，一批骨干企業成長起來，多家企業成功上市。產業發展已初具規模，成為當前發展最快的產業之一。

    成績顯著

    我國LED產業起步于上世紀70年代，真正的大發展在近10年。2003年，科技部、原信息產業部、教育部、建設部等共同組織實施了國家半導體照明工程，隨后國家發改委、財政部也不斷加大對LED產業及應用的投入。在各部委的推動下，我國LED產業取得了快速進步，產業規模一直保持30%左右的增長速度，到2011年全行業總產值為1500億元�！�2003年開始，國內外延和芯片企業僅有廈門三安、大連路美、上海藍光、藍寶、山東華光、江西欣磊、石家莊13所等十幾家企業。2003年中國LED總產量為200億顆，行業發展10年后，國內外延和芯片廠家發展到近百家，2011年LED產值為1560億元，其中外延和芯片部分產值為65億元�！眮喭�朗光電(中國)有限公司總裁閆春輝博士對記者表示。

    在產業規模保持快速增長的同時，技術水平也顯著提升，量產的器件發光效率提高到110lm/W以上，與國際先進水平不斷縮小；封裝技術向倒裝、集成封裝發展，接近國際先進水平；自主研制的金屬有機源、藍寶石襯底得到大規模應用，金屬MOCVD樣機研發成功。特別是我國硅基(硅襯底)LED技術水平和產業取得突破性進展。南昌大學國家硅基LED工程技術研究中心在電流密度35A/cm2下，硅襯底藍光LED器件電光轉換功率效率達到50%～55%，封裝成冷白光LED器件，其發光流明效率達到120lm/W～130lm/W，達到了目前藍寶石LED主流水平。在電流密度5A/cm2下，硅襯底藍光LED器件電光轉換功率效率達到55%～60%，封裝成冷白光LED器件，其發光流明效率達到145lm/W～160lm/W。從小尺寸(0.2mm×0.2mm)芯片到功率型芯片(1.1mm×1.1mm)均實現了小批量生產，分別應用在彩屏、數碼管、手電筒、球泡燈、路燈等方面。到目前為止，在硅基LED研究和產業兩方面，我國處于國際領先地位。<