意法半導體非易失性存儲器取得突破，率先在業界推出串行頁EEPROM

　　2022年6月30日，中國——依托在串行EEPROM技術領域的積累和沉淀，意法半導體率先業界推出了串行頁EEPROM（Serial Page EEPROM）。這款全新類別的EEPROM是一種SPI串行接口的高容量頁可擦除存儲器，擦寫靈活性、讀寫性能和超低功耗獨步業界，前所未有。意法半導體新的串行頁EEPROM產品家族前期先推出32Mbit的M95P32，稍后在適當的時候增加16Mbit和8Mbit產品。

　　這個創新架構讓設計人員能夠在同一存儲器上管理固件和靈活存儲數據，這種組合在以前是沒有的。更高的存儲器集成度可以減少終端產品的物料清單(BoM)成本，縮短上市時間，增加應用價值，并實現尺寸更小的超低功耗模塊，從而延長電池使用壽命。這些器件非常適合實現多合一非易失性存儲器，用于工業物聯網模塊、可穿戴設備、醫療健康、電子價簽、智能表計和5G光纖模塊等新系統設計。

　　作為一個全新的開發成果，串行頁EEPROM整合意法半導體的e-STM 40nm非易失性存儲器(NVM)單元專利技術與新的智能存儲頁架構，兼備高存容量、字節擦寫靈活性和高耐擦寫次數，既有利于固件管理，又能簡化數據記錄。新產品還具有讀取、擦除和寫入時間短的特點，上傳下載速度快可以降低制造成本，減少應用停機時間�？焖偕想姾退穆份敵鲎x操進一步加快應用喚醒速度。

　　集成這種新的簡化的存儲器可優化企業擁有成本，提高產品易用性，簡化軟件開發，提升產品可靠性。串行頁EEPROM是一個成本比FRAM更低的非易失性存儲器解決方案，功耗比串行閃存（serial Flash）更低，功能和易用性比Dataflash產品更好。

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