近日,中國南車集團大功率IGBT產業化基地奠基,標志著我國首條8英寸IGBT芯片生產線項目正式啟動。
該項目設計年產8英寸芯片12萬片、IGBT模塊100萬只。這將使中國南車成為國內唯一掌握IGBT芯片設計—芯片制造—模塊封裝—系統應用完整產業鏈的企業,填補了國內相關技術領域的空白。
IGBT(新型功率半導體器件——絕緣柵雙極型晶體管)是功率半導體器件第三次技術革命的代表性產品,廣泛應用于軌道交通、航空航天、船舶驅動、智能電網、電力電子、新能源汽車等戰略性產業領域,是節能技術和低碳經濟的主要支撐,被業界譽為功率變流裝置的“CPU”、綠色經濟的“核芯”,市場發展前景光明。
目前國內IGBT的主要供應商為外國廠商。為支持我國企業技術突圍,IGBT成為國家產業政策重點支持和扶持的重大科技項目。
大功率IGBT產業化基地建設項目,由中國南車株洲電力機車研究所具體實施,項目總投資14億元,占地160畝,預計2013年正式投產。建成后,該基地將具備年產12萬片8英寸IGBT芯片和100萬只大功率IGBT器件的能力,年產值超過20億元,其產業規模和技術實力均超過國內已有水平,達到國際領先水平。g
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本文鏈接:中國南車大功率IGBT產業化基地奠基
http:www.mangadaku.com/news/2011-6/2011629145836.html
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文章標簽: 大功率IGBT/功率半導體/絕緣柵雙極

