三菱電機盛裝亮相PCIM 2010中國電力電子展覽會

    三菱電機盛裝亮相PCIM 2010中國電力電子展覽會。與其國際性、先驅性一致，三菱電機展臺設計也獨樹一幟 - 大方、氣勢，盡顯低碳、節能主題，因而也吸引大量專業觀眾駐足交流。 

    此次展覽會期間，三菱電機于6月1日下午、6月3日上午分別舉辦了新產品發布及最技術介紹活動，吸引了眾多觀眾參加。此次活動的主題為倡導低碳生活的三菱功率模塊。 

    作為電力電子業內的先鋒，三菱電機也是PCIM研討會的最佳論文獎的贊助商。 

    三菱電機半導體產品包括三菱功率模塊（IGBT、IPM、DIPIPMTM、HVIGBT、MOSFET等）、三菱微波/射頻和高頻光器件、光模塊等產品，其中三菱功率模塊在電機控制、電源和白色家電的應用中有助于您實現變頻、節能和環保的需求；而三菱系列光器件和光模塊產品將為您在各種模擬/數字通訊、有線/無線通訊等應用中提供解決方案。 

    此次展會期間，三菱電機推出的三款新型的HVIGBT模塊包括：3300V R系列、6500V R系列和4500VR系列，為軌道牽引和大功率工業驅動，帶來更高性能、超可靠、低損耗的技術。 

    三菱電機針對軌道牽引和大功率工業驅動的需要，特別設計了具有優良性能的HVIGBT模塊，尤注重損耗低、額定電流大以及運行結溫范圍大的特性，同時具備良好的開關控制特性以降低電磁干擾（EMI）。本次推出的三款HVIGBT模塊完全符合這些要求，并已經取得國際鐵路行業標準(IRIS) 認證。 

    3300V R系列HVIGBT模塊采用LPT(Light Punch-Through)-HVIGBT硅片和軟恢復高壓二極管硅片的組合，在不影響模塊的短路魯棒性前提下，該新型模塊的飽和壓降與關斷損耗折衷特性得到了25%的改善。 

    新型二極管的使用減小了反向恢復電流，且軟反向恢復特性維持了現有二極管設計的短路魯棒性，并具有良好的EMI性能。新的硅片技術大大降低了模塊的功率損耗，提高了模塊的額定電流，最大額定電流可高達1500A，而過往產品的最大額定電流只有1200A。實驗證明，通過調節導通和關斷柵極電阻值可以在比較大范圍內控制模塊的開關特性。 

    6500V R系列HVIGBT模塊，其絕緣耐壓高達10.2k V（1分鐘交流有效值）。基板材料采用AlSiC，模塊的可靠性得到大大提高。一共有3種封裝形式，小型，中型和大型。6500V R系列 HVIGBT模塊的IGBT硅片具有漏電流小、功率損耗低、安全工作區（SOA）寬的特性，其二極管硅片具有軟反向恢復特性、功率損耗低和安全工作區（SOA）寬的特性，從而達至模塊的總的功率損耗低，可靠性高。 

    新的R系列HVIGBT模塊還推出4500V R系列，電流分別有1200A和800A。新的R系列HVIGBT模塊硅片的運行溫度上限由過去的125°C提高到150°C，模塊的儲存最低溫度從過去的-40°C降低到-50°C。■