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安森美半導(dǎo)體推出帶LVDS接口的單頻及雙頻晶體振蕩器模塊

2009/9/22 17:56:40   電源在線網(wǎng)
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單頻及雙頻振蕩器模塊為L(zhǎng)VDS及LVPECL 2.5 V 和3.3 V時(shí)鐘產(chǎn)生應(yīng)用提供高精度性能

    全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)擴(kuò)充PureEdge™高精度晶體振蕩器(XO)時(shí)鐘模塊系列,新的高精度器件提供百萬(wàn)分之±50(即±50 ppm)的總頻率穩(wěn)定度,符合下一代低壓差分信令(LVDS)及低壓正射極耦合邏輯(LVPECL)設(shè)計(jì)的時(shí)鐘產(chǎn)生要求。

    NBXzzzzzz系列單頻和雙頻模塊分別提供超低抖動(dòng)、超低相位噪聲的LVDS和LVPECL差分輸出,應(yīng)用領(lǐng)域包括高速局域網(wǎng)(LAN)和廣域網(wǎng)(WAN)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、電信基站、存儲(chǔ)系統(tǒng)及高端計(jì)算平臺(tái)中的頻率控制及高精度時(shí)鐘樹。

    所有新模塊均使用低頻高Q值基本模式晶體及模擬鎖相環(huán)(PLL)乘法器,提供高精度的單輸出或雙輸出頻率。集成的輸出單邊帶(SSB)位于12千赫(kHz)與20兆赫(MHz)之間時(shí),典型額定均方根(RMS)相位抖動(dòng)僅為0.5皮秒(ps)。單頻模塊的輸出頻率選擇包括161.13 MHz、175.00 MHz、187.50 MHz、340.00 MHz、425.00 MHz和622.08 MHz。雙頻模塊提供106.25 MHz/212.50 MHz、125 MHz/250 MHz、155.52 MHz/311.04 MHz、156.25 MHz/312.50 MHz和200.00 MHz/400.00 MHz的輸出頻率供用戶選擇。因此,設(shè)計(jì)人員能夠優(yōu)化模塊選擇,用于多種專門協(xié)定,包括以太網(wǎng)、千兆位以太網(wǎng)(GbE)、1x/2x光纖信道、串行ATA(SATA)、同步光網(wǎng)絡(luò)(SONET)/同步數(shù)字體系(SDH)及PCIe。

    安森美半導(dǎo)體定制工業(yè)及時(shí)序產(chǎn)品業(yè)務(wù)部總監(jiān)Ryan Cameron說:“安森美半導(dǎo)體最新的PureEdge™時(shí)鐘模塊提供多種工作條件下的高精度,精度及可靠性更符合新的及新興的LVDS和LVPECL時(shí)鐘樹設(shè)計(jì)的需求。此外,這些基于硅片的器件比傳統(tǒng)基于石英的選擇更易于制造,且靈活性更高,性能也更佳,而交貨周期亦更短,使原設(shè)備制造商(OEM)可降低成本,而不影響性能。”

    所有這些新模塊采用2.5伏(V)和3.3 V輸入電壓工作,采用密封式5.0 mm x 7.0 mm x 1.90 mm陶瓷CLCC-6表面貼裝(SMD)封裝。

價(jià)格及供貨
    這些模塊每100個(gè)批量的預(yù)算單價(jià)是4.50美元。更多信息請(qǐng)聯(lián)系Senad Lomigora(電郵:Senad.Lomigora@onsemi.com)。更多技術(shù)信息請(qǐng)?jiān)L問安森美半導(dǎo)體網(wǎng)站www.onsemi.cn

關(guān)于安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)
    安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)擁有跨越全球的物流網(wǎng)絡(luò)和強(qiáng)大的產(chǎn)品系列,是計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)產(chǎn)品、汽車、工業(yè) 、醫(yī)療和軍事/航空市場(chǎng)之首選高性能、高能效硅方案供應(yīng)商,幫助設(shè)計(jì)人員提升電子產(chǎn)品的系統(tǒng)能效,既快速又符合高性價(jià)比。公司的產(chǎn)品系列包括電源管理、信號(hào)、邏輯、分立及定制器件。公司在北美、歐洲和亞太地區(qū)等關(guān)鍵市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)包括制造廠、銷售辦事處和設(shè)計(jì)中心的業(yè)務(wù)網(wǎng)絡(luò)。欲查詢公司詳情,請(qǐng)瀏覽安森美半導(dǎo)體網(wǎng)站:www.onsemi.cn

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  來源:安森美半導(dǎo)體
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