賽米控推出用于三電平UPS逆變器的IGBT功率模塊

紐倫堡，2008年7月8日 - 賽米控為現有SEMITOP^® IGBT產品線推出一種新的拓撲結構，用于三電平逆變器。該結構將IGBT技術與較低的開關和傳導損耗相結合，與兩電平逆變器相比，損耗減少60%。與半橋模塊相比，該SEMITOP^®模塊是專為低換流電感率而設計。DC/AC轉換效率得到了提高，可用于功率等級為5-80kVA的UPS。

    三電平逆變器是一種符合成本效益的解決方案，因為用一個單一模塊取代標準兩電平半橋結構中的兩個模塊。三電平逆變器在結構上由一系列串聯的 IGBT來實現，這樣有可能獲得更高的反向IGBT阻斷電壓。通過連接三個這樣的模塊，有可能實現一個完整的具有最高電氣和熱效率的三相三電平逆變器拓撲結構。由于其正弦輸出波形，有可能減少諧波和所需的輸出濾波器。與標準兩電平半橋逆變器相比，三電平逆變器的整體尺寸和成本都減少了25%。

用于三電平逆變器的SEMITOP^®模塊。該結構將IGBT技術與較低的開關和導通損耗相結合，與兩電平逆變器相比，損耗減少60%。

    600V的IGBT反向阻斷電壓下，額定電流為20-150A。在電源應用中，模塊運行時的輸入功率在5-80kVA。用于三電平逆變器的IGBT有兩種封裝：SEMITOP^® 3（55x31mm²），用于額定電流為20-50A的模塊和SEMITOP^® 4（60x55mm²），用于額定電流為75-150A的模塊。

    SEMITOP^®是一款絕緣的功率模塊，高度只有12mm。由于采用了無底板技術，可以被迅速安裝到復雜電路中。而且只需一顆螺絲即可將其固定在散熱器上，然后自動焊接到 PCB上。壓接技術和單螺絲安裝確保了低熱阻，而無機械應力設計確保了高功率循環能力。單螺絲安裝使得安裝快捷。經過17種不同的認證和超過10000小時的測試，模塊性能得到了證實。