飛兆推出新IGBT系列器件 增強系統可靠性

    飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 推出全新1200V Field Stop Trench IGBT系列器件FGA20N120FTD 和 FGA15N120FTD，為電磁感應加熱應用的系統設計人員提供了高效的解決方案。這些IGBT同時采用Field Stop (場截止) 結構和抗雪崩的Trench gate (溝道柵) 技術，可在傳導損耗和開關損耗之間提供最佳權衡，從而獲得最高的效率。與傳統的NPT-Trench IGBT器件相比，FGA20N120FTD可減小25% 的導通損耗、8% 的開關損耗，并大幅降低系統工作溫度。由于冷卻要求降低，系統可靠性得以增強，系統總成本減小。這些器件還內置了專為零電壓開關 (ZVS) 技術而優化的快速恢復二極管 (FRD)，進一步提高了可靠性。

     飛兆半導體的FGA20N120FTD和 FGA15N120FTD一致的參數參數分布已經增強的抗雪崩擊穿能力使得器件的性能一致并且降低器件的失效。這正是利用飛兆半導體創新的Field
Stop結構和專有的先進Trench gate單元設計的成果。

FGA20N120FTD 和 FGA15N120FTD的主要特性包括：

低開關損耗，提高系統效率。
低飽和電壓，降低導通損耗。 
內置專為ZVS拓撲而優化的快速恢復二極管，有助于設計人員減少元件數目，同時進一步確保系統可靠性。
一致的參數分布，減小性能變化。
出色的抗雪崩能力，延長使用壽命。

    FGA20N120FTD和FGA15N120FTD采用無鉛 (Pb-free) 引腳，潮濕敏感度符合IPC/JEDEC J-STD-020標準對無鉛回流焊的要求。所有飛兆半導體產品均設計滿足歐盟有害物質限用指令 (RoHS)的要求。