三墾電氣演示基于GaN元器件的電源電路

　　三墾電氣實際演示了配備該公司試制的GaN元器件的電源電路。與利用原來的Si元器件時相比，功率轉換效率有所提高。實際演示有由功率因數校正電路（PFC）和DC-DC轉換器構成的開關電源，以及逆變器電路2種。

　　在電源方面，通過將PFC中的Si制快恢復二極管（FRD）及MOSFET更換為GaN制肖特基勢壘二極管（SBD）及常關型（Normally-Off Type)FET，功率轉換效率“提高了2～4個百分點”。在演示中，將利用Si器件和GaN器件的開關電源的輸出功率設定為相同程度，根據輸入功率的不同，比較了兩種開關電源的功率轉換效率。盡管輸出電壓同為約24V，輸出電流同為約4.1A的約100W輸出功率，但利用GaN元器件時，輸入功率只有約124W，小于利用Si元器件時的約 129W。

　　在逆變器電路的演示中，驅動了三相交流馬達。逆變器電路利用的模塊內置了6枚集SBD和常關型FET于1身的GaN元器件芯片。與利用Si制FRD及IGBT構成逆變器電路時相比，功率轉換效率“提高了近1個百分點”