日亞、首爾半導體擴大戰場 ITC正式介入侵權調查

    韓國LED生產商首爾半導體(Seoul Semiconductor)表示，美國國際貿易委員會(ITC)已于2008年1月4日宣布，該委員會已表決通過向日亞公司(Nichia)展開調查有關其侵犯首爾半導體專利權的訴狀，調查范圍將集中于日亞的短波段半導體雷射產品。

    根據決議，ITC將會調查日亞公司侵犯首爾半導體美國專利權編號5,321,713 (‘713)的短波段半導體雷射產品和消費電子產品設備，例如日亞主要應用于高分辨率醫療DVD和Blu-ray播放器的405毫微米雷射二極管的美國進口及銷售情況。若發現日亞觸犯ITC訂立的禁止侵犯專利權的不公平競爭規章，ITC有權禁止日亞侵權的短波段雷射半導體及含有侵權配備的產品繼續進口美國。

    該案件將交由ITC行政法官Paul J. Luckern審理，在調查展開45天之內，ITC將會確定完成調查的目標日期。ITC向日亞的糾正指令一經發出便會實時生效，除非指令在發出60日之內因為違反政策而遭受反對，否則便會成為終極裁決。

    首爾半導體表示，該公司投資于研究發展與雷射二極管和LED相關技術的資金，共超過1,000萬美元。首爾半導體從這些研發投資之中，已成功取得多項與雷射二極管及LED相關的專利權，當中包括美國‘713專利權。該公司認為ITC調查的決定將有助于證明首爾半導體過去在技術研發上所付出的努力。