Microsemi公司推出了一系列FREDFET(H-FREDFET)快速恢復二極管,屬于其最新一代功率MOS 8產品線,面向多種500 V和600 V應用,包括AC-DC離線電源、馬達驅動器、服務器和電信電源系統、太陽能逆變器、單相及三相電弧焊和等離子切割設備、電池充電器、半導體資本設備和感應加熱。醫療設備方面包括磁共振成像(MRI)和計算機化X射線軸向分層造影(CT)。
與早期的器件相比,先進的制造工藝降低了MOS 8產品的熱電阻,使每個裸片尺寸和封裝類型可承受更高的額定電流。電容和柵電荷的降低可實現較高的轉換頻率和較低的開關損耗。MOS 8 H-FREDFET具有MOS 8 FREDFET的所有特點與優點,低導通電阻RDS(on),體二極管的恢復速度小于或等于200ns。這些器件在寄生二極管承載正向電流的應用中具有極好的耐用性和可靠性,如常用的零電壓轉換(ZVS)橋拓撲。所有MOS 8 H-FREDFET器件都經過100%雪崩能量檢測,所用封裝皆符合RoHS指令。
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編輯:Ronvy
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http:www.mangadaku.com/news/2007-5/200752893233.html
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文章標簽: Microsemi/FREDFET

