日本東芝通過在LED表面加納米級突起物來提高其出光率。其步驟如下:
在LED表面涂敷一層液體玻璃,加熱直至玻璃硬化。再在玻璃表面上覆蓋一層聚合物(聚苯乙烯與聚甲基丙烯酸甲酯加聚所得),并將其加熱到200攝氏度左右,使其中的聚苯乙烯形成球體,再使用等離子刻蝕去掉聚甲基丙烯酸甲酯,這樣表面上就只留下球狀聚苯乙烯。將這些聚苯乙烯球遮住,再使用離子蝕刻技術去掉未經遮蓋的玻璃和半導體襯底,最后形成了擁有450-500nm 高、彼此相隔150-200nm突起物的LED表面。
東芝稱,此基于分子自組織的工藝較光刻處理便宜,并已在紅光LED上進行了試用。東芝相信這項技術對提高白光LED的亮度也同樣有效。
在LED表面涂敷一層液體玻璃,加熱直至玻璃硬化。再在玻璃表面上覆蓋一層聚合物(聚苯乙烯與聚甲基丙烯酸甲酯加聚所得),并將其加熱到200攝氏度左右,使其中的聚苯乙烯形成球體,再使用等離子刻蝕去掉聚甲基丙烯酸甲酯,這樣表面上就只留下球狀聚苯乙烯。將這些聚苯乙烯球遮住,再使用離子蝕刻技術去掉未經遮蓋的玻璃和半導體襯底,最后形成了擁有450-500nm 高、彼此相隔150-200nm突起物的LED表面。
東芝稱,此基于分子自組織的工藝較光刻處理便宜,并已在紅光LED上進行了試用。東芝相信這項技術對提高白光LED的亮度也同樣有效。
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來源:中國半導體照明網
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本文鏈接:東芝稱可使用表面處理技術提高LED亮度
http:www.mangadaku.com/news/2006-9/2006925102217.html
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文章標簽: 東芝/LED

