中國是世界上的能源消耗大國,由于中國能源生產的短缺和不均衡,已連續幾年出現“電荒”現象。為解決“電荒”問題,我國政府也頒布了一些法令以提高能效。目前我國已經開始針對某些產品提出能效要求,而且還對冰箱、空調、洗衣機之類的產品進行能效標志,此外,歐美發達國家對某些電子產品有直接的能效要求,如果國內想要出口,就必須滿足其能效要求,所有這些提高能效的要求將會給功率器件市場帶來更大的機會。
除了能效需求之外,各個應用領域的下游制造市場將拉動未來我國功率芯片市場的快速發展。目前,我國已經是很多IT數碼產品的生產基地。未來,筆記本、LCD顯示器和數字電視等產品的產量還將保持快速增長,我國功率半導體市場將在下游整機市場需求的帶動下保持平穩快速的發展。3G應用的推廣必將為成為我國網絡通信類功率半導體市場新的增長點,從而帶動我國功率半導體市場的發展,高清電視等方面的應用也將在一定程度上刺激我國功率半導體市場的快速發展。
隨著產品能效要求的提高以及開關頻率的提高,功率IC、MOSFET和IGBT將是增長最快的產品,功率IC將向功能更強、體積更小的方向發展,MOSFET也將向導通電阻更低、耐壓更高和外形更小的方向發展,IGBT使用HVIC進行驅動的比例將會提高,類似SPM和IPM的智能模塊將會占有更高的市場份額。
雖然全球市場發展趨緩,但國內市場下游整機需求依然旺盛,我國功率半導體市場仍然以較快速度發展,2005年我國功率半導體市場銷售額達到448.1億元,實現26.8%的增長率,明顯高于全球8.2%的增長水平。但與2004年功率芯片市場相比,2005年我國市場26.8%的增長率明顯低于2004年37.1%的增長率,這主要由于國內網絡通信類和工業控制類功率芯片市場發展速度趨緩所致。憑借MP3和數碼相機等數碼消費類市場的高速發展對消費類功率芯片的市場需求,消費電子領域成為2005年我國功率半導體的最大應用市場,占24.6%的市場份額。筆記本、PC和顯示器產量的增加使得計算機類所占份額有所提升,達到18.7%。
電源管理IC和MOSFET是應用比較廣泛的產品,在消費電子、工業控制、計算機、汽車電子中都大量使用。得益于近年來國內整機產量的增加,電源管理IC和MOSFET需求量保持快速增長,F階段雖然IGBT市場份額較小,但發展快速,其中以1700V以下的應用最為成熟。IGBT憑借著較強的耐壓水平以及較高的開關頻率在一些工業控制產品中逐步替代SCR、GTR成為核心器件。憑借著在電磁爐、數碼相機閃光燈、變頻家電中的應用,消費電子成為IGBT的又一重要應用領域。晶閘管是較為成熟的半導體功率器件,在工業領域中廣泛使用。整流管和雙極晶體管技術最為成熟,其應用也十分廣泛,隨著各種電子設備開關頻率的提高,上述產品的開關頻率將難以滿足要求,其應用將會被MOSFET和IGBT的器件進一步取代。但由于其成本相對較低,在對于頻率要求不高的產品中還將廣泛使用,將來還將會保持一定的市場份額。
在市場競爭格局上,目前我國分立器件市場中,國外廠商占據絕對優勢,中國市場90%以上的市場份額被國外廠商占據。
除了能效需求之外,各個應用領域的下游制造市場將拉動未來我國功率芯片市場的快速發展。目前,我國已經是很多IT數碼產品的生產基地。未來,筆記本、LCD顯示器和數字電視等產品的產量還將保持快速增長,我國功率半導體市場將在下游整機市場需求的帶動下保持平穩快速的發展。3G應用的推廣必將為成為我國網絡通信類功率半導體市場新的增長點,從而帶動我國功率半導體市場的發展,高清電視等方面的應用也將在一定程度上刺激我國功率半導體市場的快速發展。
隨著產品能效要求的提高以及開關頻率的提高,功率IC、MOSFET和IGBT將是增長最快的產品,功率IC將向功能更強、體積更小的方向發展,MOSFET也將向導通電阻更低、耐壓更高和外形更小的方向發展,IGBT使用HVIC進行驅動的比例將會提高,類似SPM和IPM的智能模塊將會占有更高的市場份額。
雖然全球市場發展趨緩,但國內市場下游整機需求依然旺盛,我國功率半導體市場仍然以較快速度發展,2005年我國功率半導體市場銷售額達到448.1億元,實現26.8%的增長率,明顯高于全球8.2%的增長水平。但與2004年功率芯片市場相比,2005年我國市場26.8%的增長率明顯低于2004年37.1%的增長率,這主要由于國內網絡通信類和工業控制類功率芯片市場發展速度趨緩所致。憑借MP3和數碼相機等數碼消費類市場的高速發展對消費類功率芯片的市場需求,消費電子領域成為2005年我國功率半導體的最大應用市場,占24.6%的市場份額。筆記本、PC和顯示器產量的增加使得計算機類所占份額有所提升,達到18.7%。
電源管理IC和MOSFET是應用比較廣泛的產品,在消費電子、工業控制、計算機、汽車電子中都大量使用。得益于近年來國內整機產量的增加,電源管理IC和MOSFET需求量保持快速增長,F階段雖然IGBT市場份額較小,但發展快速,其中以1700V以下的應用最為成熟。IGBT憑借著較強的耐壓水平以及較高的開關頻率在一些工業控制產品中逐步替代SCR、GTR成為核心器件。憑借著在電磁爐、數碼相機閃光燈、變頻家電中的應用,消費電子成為IGBT的又一重要應用領域。晶閘管是較為成熟的半導體功率器件,在工業領域中廣泛使用。整流管和雙極晶體管技術最為成熟,其應用也十分廣泛,隨著各種電子設備開關頻率的提高,上述產品的開關頻率將難以滿足要求,其應用將會被MOSFET和IGBT的器件進一步取代。但由于其成本相對較低,在對于頻率要求不高的產品中還將廣泛使用,將來還將會保持一定的市場份額。
在市場競爭格局上,目前我國分立器件市場中,國外廠商占據絕對優勢,中國市場90%以上的市場份額被國外廠商占據。
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http:www.mangadaku.com/news/2006-7/20067249543.html
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文章標簽: 產經網

