意法半導體將在功率MOSFET上采用雙面散熱封裝

　　意法半導體（STMicroelectronics）日前發表了采用可從封裝上下兩面散熱的“PolarPAK”技術的功率MOSFET“STK850”和“STK800”。對于PolarPAK技術，已從美國威世科技公司（Vishay Intertechnology）獲得授權。漏極電流分別為30A和20A。通過采用PolarPAK，與該公司相同封裝面積的老產品相比，可處理2倍的電流。

　　所設想的用途是通信設備和計算機等配備的開關電源。作為STK850來說，柵電壓為10V、漏極電流為15A時，導通電阻最大僅有2.9mΩ。而STK800輸入側的靜電電容為1380pF。柵極電荷量僅為13.4nC，主要面向非絕緣型降壓式DC-DC轉換器的控制FET。

　　現已開始供應樣品。每千個批量購買時的單價，STK800為1.2美元，STK850為1.6美元。外形尺寸均為5mm×6mm×0.8mm。