SEMiXTM 和MiniSKiiP＆reg;II(圖)

SEMiX™: 新一代 IGBT產品，應用廣泛，可升級
在半橋、斬波、6單元的技術領域，SEMiX™ 系列是一種平臺式設計，適用于各種功率檔的不同尺寸模塊，廣泛應用于電力電子系統中，特別為中功率和大功率的驅動器、變頻器而設計。 SEMiXTM 模塊可提供的功率容積密度幾乎相當于62-mm 模塊的2倍。首先推出3種模塊尺寸有：SEMiX™2, SEMiX™3 和6單元SEMiX™33。
SEMiX™ 產品包括600V, 1200V 和1700V IGBT3 trench 技術; 1200V 模塊也采用了IGBT3的平面工藝，電流范圍為200A ~700A。 所用的續流二極管是一種CAL二極管，具有極高的動態魯棒性。續流二極管用于快速開關和硬開關。二極管的軟恢復功能可在整個溫度范圍內降低EMC的干擾性。
SEMiX™適用范圍廣。用于外部驅動時，主要用作標準的插塞式連接器；而用于IPM 的解決方案時，則驅動是模塊內部的一個組成部分。逆變器可用一個6單元或單獨隔熱半橋來設計，大約可減少20%的熱阻抗，如溫度恒定，則可使負載容量提高15%，或者使芯片溫度降低10-15°C，從而提高耐久性。
MiniSKiiP®II, IGBT模塊新品，性能改良, 新一代
MiniSKiiP®II 是在選用新型芯片和封裝工藝的基礎上，對現有產品范圍和性能的進一步拓展。新產品包括CIB 模塊 (達100A), 和帶通訊輸入橋式模塊的6單元模塊 (達 150 A)。

MiniSKiiP®II 在電機整流器、UPS系統和電源系統中作為電源切換裝置使用。新的6單元模塊尤適用于離心式驅動。MiniSKiiP®II 采用彈簧接觸和SKiiP® 技術, 可靠性極高，在惡劣的操作環境中表現尤為突出。在變頻器生產中，可用壓力接觸將MiniSKiiP®II 壓接到PCB板上，無需焊接，便捷、可靠。
尺寸更小、功能更強的芯片拓展了MiniSKiiP®II 模塊的功率范圍。與現有MiniSKiiP®產品相比，新一代模塊的外型是為更高電流設計的，因此，用它可以設計制造全功率范圍的小尺寸裝置。為了完全覆蓋小功率范圍，尺寸更小的、為600V電壓單獨設計的新型模塊MiniSKiiP® II 0也已推出，并將作為600V Trench IGBT 的特色技術投放市場。新一代 MiniSKiiP® 模塊沿用上一代產品的溫度傳感器。

SEMIPONT®7, 功率高達150 kVA 的無鉛二極管和晶閘管整流橋
SEMIPONT® 7 包括SKD 230, SKDH 230, SKDT 230 和 SKUT 230 整流橋。這些產品分別為不可控、半控、全控的三相橋以及三相交流控制器，電流高達230A，耐壓高達1800V。
新一代產品依據EU指導方針2002/95/EG引進了無鉛設計。以上四類產品均可實現標準外型尺寸30mm高的螺絲連接高度和底座。玻璃鈍化晶閘管和二極管芯片，確保了極高的耐壓穩定性。
新一代SEMIPONT®7 系列若用于變頻器和充電器，可用作輸入橋整流器部分；若用于直流電機，可用于場整流器。精簡的三相交流控制器可用于軟啟動交流電機控制、照明控制或加熱控制。

SEMITOP® 新一代六單元CIB模塊，具有更高的電流密度
新一代SEMITOP® 模塊提供了一個新的高效成本解決方案，更高的電流密度可使小功率驅動達到15 kVA。其目標市場是工業和消費市場的一般驅動、伺服驅動、洗衣機、空調設備、電子真空吸塵器和小型電力機車。
逆變-整流-制動(CIB)模塊使SEMITOP® 產品的范圍和應用得到進一步擴展。新型CIB模塊封裝在SEMITOP® 3里，包括一個三相輸入橋、一個三相逆變器和一個制動斬波器，在80°C 時可達25A/600V。
技術的進步大大提高了設計的靈活性，模塊外型尺寸減小了34%，而電流和電壓范圍仍保持不變。六單元逆變器現在可用于尺寸更小的SEMITOP® 2和SEMITOP® 3封裝。SEMITOP®　是一種外型輕巧的六單元模塊，帶有集成IGBT和續流二極管，可達20 A/ 600 V 、15 A/ 1200 V (溫度在80°C時)。MOSFET 6單元配置用于SEMITOP® 2中，可達70 A/ 75 V、60 A/ 100 V。
SEMITOP® 是以SKiiP® 技術為基礎的無底板技術，可靠性高，散熱性能好，功率循環能力強，使材料的利用達到最優。因此與相同的離散解決方案相比，其外型尺寸要小的多。

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