配合全橋控制器集成電路，為48V網絡、電信和高端計算機系統提供更優散熱性和更緊湊的功率方案

國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出最新芯片組解決方案，適用于多元化的通用電信輸入（36V至75V）及48V固定輸入系統。

　　新芯片組專為隔離式或非隔離式DC-DC轉換器應用而設計，可提升系統層面的電源性能，如220W以下系統主機板的大型48V轉換，或用以驅動基站系統的無線電放大器。

　　IR中國及香港銷售總監嚴國富表示：“我們最新的優化芯片組包含嶄新的DirectFET MOSFET及IR2086S控制器集成電路，為網絡及通信業普遍采用的兩種轉換器電路布局提供更簡單的完整方案�！�

　　IR2086S 控制器集成電路采用初級全橋布置，可簡化隔離式DC-DC轉換器電路。它特別針對總線轉換器應用進行優化，并采用自振式50% 固定工作周期。相比于業界標準的四分之一磚設計，該芯片組能有效節省多達50% 的電路板空間，并可減少60% 的組件數目。

　　IR2086S設有一個集成軟啟動電容器，能在2,000余個周期內把工作周期逐步增加至50%，以限制在啟動階段輸入的電流；同時在整個啟動過程中為全橋的高、低端MOSFET保持相同的脈沖寬度。新器件的其它特點包括自恢復電流限制保護、1.2A柵驅動電流及50 - 200毫微秒的可調停滯時間以抗衡擊穿電流、最高達500kHz的可編程開關頻率。

　　設計師可從100V IRF6644或IRF6655、40V IRF6613或IRF6614四種DirectFET MOSFET選擇所需產品，組成完整的芯片組。這些MOSFET采用IR最新技術及DirectFET封裝，能大幅優化導通電阻、柵電荷等重要器件指標。

　　例如，在典型的電信基站功率放大器中，需要從一個36-75V的輸入獲得28V輸出。通過兩級變換，IR最新的 DirectFET MOSFET及控制芯片組能構成一個頗具效率的轉換器，在全負載、250W環境下效率高達92.5%。

　　第一級，在非隔離同步降壓配置中采用IRF6655和IRF6644產生經過調節的中段電壓。緊接的初級部分以IR2086S和IRF6614建立簡單的全橋固定比率總線轉換器；次級部份則采用IRF6644實現自驅動同步整流。

　　這一新方案能消除傳統的單級方案中復雜的次級控制電路�？偩�轉換器的50%可讓設計員在次級部分采用100V MOSFET，避免采用會損耗2% 效率的150V或200V MOSFET。

　　若使用于獨立的48V固定輸入總線轉換器應用，最新100V IRF6644可在220W (8Vout @ 27.5A) 全負載環境下效率高達95.7%，適用于大部分網絡和高端計算機運算系統。與采用單一100V SO-8 MOSFET的同類電路相比，它可提升效率約1%，并把器件溫度降低40°C。

　　由于器件溫度更低，因此無需在初級部分添加并行器件，即可滿足更高電流要求。整體而言，IRF6644可提升約46% 輸出功率，并有助于平衡轉換器初級和次級部分的溫度。相比類似電氣參數的其它方案，IRF6644的導通電阻降低了約48%。IRF6644的組合式導通電阻與柵電荷的主要指標 優于同類方案45%。其導通電阻與兩個傳統元件的并聯效果相當。在一些特定的輸入輸出電壓比要求下，次級同步整流布置結構可采用IR 40V IRF6613 DirectFET MOSFET，較30V器件可提供33%的電壓裕量，而效率則相差不到1％。

　　IR的專利DirectFET MOSFET封裝技術，能提供標準塑料分立式封裝前所未有的設計優勢。封裝內的金屬腔結構可實現雙面冷卻，將用于先進微處理器的高頻DC-DC降壓轉換器的電流處理能力提升一倍以上。