性能技術參數

容量范圍 75 μF～3200 μF（25℃）
額定電壓 500 VDC～1500 VDC
容量偏差 ±10% (standard), ±5% (upon request)
介質損耗 tanσ≤0.0020（100Hz，25℃）
時間常數 ≥20,000s（Un，25℃）
工作溫度 -40℃～+85℃
海拔高度  ≤2000m
預期壽命 100,000 hours at Un and 70℃

測試電壓 極間耐壓 （Ut-t）: 1.5Un / 10s (25℃)
極殼耐壓 （Ut-c）: 3000VAC / 2s (50/60Hz, 25℃)