威柏電子專業代理富士電機半導體HPM(High Power module),3.3KV IGBT模塊，3.3KV IGBT Module,3300V IGBT模塊，3300V IGBT Module

1MBI1200U4C-120
1MBI1200U4C-170
1MBI1200UE-330
1MBI150UH-330L
1MBI1600U4C-120
1MBI1600U4C-170
1MBI2400U4D-120
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1MBI600PX-120
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1MBI600U4-120
1MBI600U4B-120
1MBI800U4B-120
1MBI800UG-330
2MBI1000VXB-170-50
2MBI1200U4G-120
2MBI1200U4G-170
2MBI1400VXB-120-50

高性能芯片：溝槽FS結構的 U 或 V-芯片

低熱電感封裝：更佳的熱性能 低熱電阻陶瓷

高絕緣壽命封裝材料：新外殼 CTI>600

更多輸出功率密度 以175℃ Tj(最大)
 
相容性封裝：功能相容性能和入出力位置

廣泛應用于：鐵路牽引電機；機車變流裝置；風力發電；高壓變頻器...