電容器主要特性參數
1、標稱電容量和允許偏差
標稱電容量是標志在電容器上的電容量。
電容器實際電容量與標稱電容量的偏差稱誤差,在允許的偏差范圍稱精度。
精度等級與允許誤差對應關系:00(01)-±1%、0(02)-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、 Ⅳ-(+20%-10%)、Ⅴ-(+50%-20%)、Ⅵ-(+50%-30%)
一般電容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ級,電解電容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ級,根據用途選取。
2、額定電壓
在最低環境溫度和額定環境溫度下可連續加在電容器的最高直流電壓有效值,一般直接標注在電容器外殼上,如果工作電壓超過電容器的耐壓,電容器擊穿,造成不可修復的永久損壞。
3、絕緣電阻
直流電壓加在電容上,并產生漏電電流,兩者之比稱為絕緣電阻.
當電容較小時,主要取決于電容的表面狀態,容量〉0.1uf時,主要取決于介質的性能,絕緣電阻越小越好。
電容的時間常數:為恰當的評價大容量電容的絕緣情況而引入了時間常數,他等于電容的絕緣電阻與容量的乘積。
4、損耗
電容在電場作用下,在單位時間內因發熱所消耗的能量叫做損耗。各類電容都規定了其在某頻率范圍內的損耗允許值,電容的損耗主要由介質損耗,電導損耗和電容所有金屬部分的電阻所引起的。
在直流電場的作用下,電容器的損耗以漏導損耗的形式存在,一般較小,在交變電場的作用下,電容的損耗不僅與漏導有關,而且與周期性的極化建立過程有關。
5、頻率特性
隨著頻率的上升,一般電容器的電容量呈現下降的規律。
GNM1M2R60J105ME12D
GNM1M2R61C105ME18D
GNM1M2R61C105ME18J
GNM1M2R71C473MA01D
GNM1M2R71E103MA01D
GNM212R61C105MA16D
GNM2145C1H330KD01D
GNM2145C1H330KD01J
GNM214B11C104MA01D
GNM214R61A105ME17D
GNM214R61A105ME17J
GNM214R71H102MA01D
GNM314R70J105MA01L
GNM212R61C105MA16D
制造商: Murata
產品種類: 電容器陣列與網絡
RoHS: 詳細信息
電容: 1000000 pF
容差: 20 %
電壓額定值: 16 Volts
元件數量: 2
工作溫度范圍: - 55 C to + 85 C
溫度系數: 15 %
端接類型: SMD/SMT
封裝 / 箱體: 0805
尺寸: 2 mm L x 1.25 mm W x 0.2 mm H
損耗因數 DF: 0.025
封裝: Reel
產品: Ceramic Capacitor Arrays
串聯: GNM
CKCA43C0G1H101K
CKCA43X7R1C104M
CKCA43X7R1E473M
CKCA43X7R1H102M
CKCA43X7R1H471M
CKCL44X5R0J104M
CKCL44X7R1H471M
CKD110JB1E101S
CKD110JB1E102S
CKD110JB1E220S
CKD110JB1E470S
CKD110JB1E471S
CKD110JB1E223S
CKD310JB0J226M
CKD310JB1C104S
CKD310JB1C105S
CKD510JB1A105S
CKD510JB1E103S
CKD510JB1E104S
CKD510JB1E223S
CKD510JB1E473S
CKD510JB1H102S
CKD510JB1H220S
CKD510JB1H221S
CKD510JB1H222S
CKD510JB1H470S
CKD510JB1H471S
CKD510JB1H472S
CKD610JB0J105S
CKD61BJB0J474S
CKG45NX7R2J224M
CKG57KX7R1C476M
CKG57NX5R1E476M
CKG57NX7R1E476M
CKCA43C0G1H101K
制造商: TDK
產品種類: 電容器陣列與網絡
RoHS: 詳細信息
電容: 100 pF
容差: 10 %
電壓額定值: 50 Volts
元件數量: 4
工作溫度范圍: - 55 C to + 125 C
溫度系數: C0G (NP0)
端接類型: SMD/SMT
封裝 / 箱體: 1206 (3216 metric)
尺寸: 3.2 mm L x 1.6 mm W x 2 mm H
封裝: Reel
產品: Ceramic Capacitor Arrays
串聯: CKC