高性能RISC CPU：

• 僅需學習33 條單字指令

• 除了程序轉移指令，所有指令都是單周期指令；程序轉移指令是雙周期指令

• 2層深硬件堆棧

• 數據和指令采用直接、間接和相對尋址模式

• 工作速度：

- DC－ 20 MHz 晶振

- DC－ 200 ns 指令周期

• 片上閃存程序存儲器- 1024 x 12

• 通用寄存器（SRAM）- 67 x 8

• 閃存數據存儲器- 64 x 8

單片機特性：

• 8MHz高精度內部振蕩器- 出廠時精度已校準到±1%

• 在線串行編程（In-Circuit Serial Programming™， ICSP™）

• 在線調試（In-Circuit Debugging， ICD）支持

• 上電復位（Power-On Reset， POR）

• 器件復位定時器（Device Reset Timer， DRT）

• 看門狗定時器（Watchdog Timer， WDT），帶專

用的片上RC 振蕩器以便可靠地工作

• 可編程代碼保護

• 復用的MCLR 輸入引腳

• I/O引腳具有內部弱上拉功能

• 節能休眠模式

• 在引腳電平變化時從休眠中喚醒

• 可供選擇的振蕩器選項：

- INTRC：4 MHz 或8 MHz 高精度內部RC 振蕩器

- EXTRC：外部低成本RC 振蕩器

- XT： 標準晶振/ 諧振器

- HS： 高速晶振/ 諧振器

- LP： 節能低頻晶振

- EC： 高速外部時鐘輸入

低功耗特性/CMOS 技術：

• 待機電流：- 2.0V時典型值為100 nA

• 工作電流：

- 32kHz、2.0V 時典型值為15 μA

- 4MHz、2.0V 時典型值為170 μA

• 看門狗定時器電流：

- 2.0V時典型值為1 μA

- 5.0V時典型值為7 μA

• 高耐久性程序和閃存數據存儲器單元

- 程序存儲器耐寫次數達100,000 次

- 閃存數據存儲器耐寫次數達1,000,000 次

- 程序和閃存數據保存時間：> 40 年

• 全靜態設計

• 寬工作電壓范圍：2.0V 至5.5V

- 寬溫度范圍- 工業級：-40°C 至+85°C

外設特性：

• 12個I/O 引腳

- 11個可單獨進行方向控制的I/O 引腳

- 1個僅用作輸入的引腳

- 高灌/ 拉電流能力，可直接驅動LED

- 電平變化時喚醒

- 弱上拉

• 帶有8 位可編程預分頻器的8 位實時時鐘/ 計數器（TMR0）

• 2個模擬比較器

- 可從外部訪問比較器輸入和輸出

- 1個比較器，具有0.6V 固定片上絕對參考電壓（VREF）

- 1個比較器，具有可編程片上參考電壓（VREF）

• 模數（Analog-to-Digital， A/D）轉換器

- 8位分辨率- 3通道外部可編程輸入- 1通道內部輸入連接到內部0.6V 參考電壓