MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體），FET（Field Effect Transistor場效應晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應來控制半導體（S）的場效應晶體管。
功率場效應晶體管也分為結型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,簡稱功率MOSFET（Power MOSFET）。結型功率場效應晶體管一般稱作靜電感應晶體管（Static Induction Transistor--SIT）。其特點是用柵極電壓來控制漏極電流，驅動電路簡單，需要的驅動功率小，開關速度快，工作頻率高，熱穩定性優于GTR，但其電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置。
BF1005E6327
BF1009SE6327
BF1009SRE6327
BF799WE6327
BFG193E6433
BFN18E6327
BFP181E7764
BFP182E7764
BFP182WE6327
BFP193E6327
BFP193WE6327
BFP196E6327
BFP196WE6327
BFP405FE6327
BFP405E6327
BFR181E6327
BFR181WE6327
BFR181TE6327
BFR183WE6327
BFR183E6327
BFR92PE6327
BFR92WE6327
BFR93AWE6327
BFR93AE6327
BFS480E6327
BGA420E6327
BGA622E6820
BGA622L7E6327
BGA622E6327
BSP297L6327
BSP297E6327
BSP60E6433
BSP603S2L
BSP89L6327
BSP89E6327
BSP92PL6327
BSP92PE6327
BSS806NL6327
IPD13N03LAG

BFP405E6327
制造商:  Infineon   
 
產品種類:  Bipolar Small Signal   
 
RoHS:   詳細信息  
 
晶體管極性:  NPN   
 
封裝 / 箱體:  SOT-343   
 
直流電流增益 hFE 最小值:  60   
 
集電極—發射極最大電壓 VCEO:  4.5 V   
 
發射極 - 基極電壓 VEBO:  1.5 V   
 
集電極連續電流:  12 mA   
 
功率耗散:  55 mW   
 
最大工作溫度:  + 150 C   
 
封裝:  Reel   
 
電流增益帶寬 fT:  25 GHz  
 
安裝風格:  SMD/SMT