采用最新的CSTBT硅片技術;低飽和壓降Vce(sat)；低開通損耗Eon；低關斷損耗Eoff;高短路承受力（不需要RTC）;降低柵極電容，柵極驅動功率接近平板型IGBT;采用AlN絕緣基層形成優異的熱阻特性，比歐洲的溝槽型IGBT具有更低的熱阻;比歐洲的溝槽型IGBT具有更低的成本結構;按IEC747-15標準定義溫度和熱阻 ,  低成本設計，適合中、低端變頻器產品設計
CM100DY-24A    100A/1200V/2U
CM150DY-24A    150A/1200V/2U
CM200DY-24A    200A/1200V/2U
CM300DY-24A    300A/1200V/2U
CM400DY-24A    400A/1200V/2U
CM600DY-24A    600A/1200V/2U