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三菱大功率IGBT半導體模塊:采取最優化CSTBT硅片技術,內部集成NTC測溫電阻,全系列共享同一封裝平臺,具有競爭力的性價比等等。
產品包括:
CBI:600V/1200V 35-100A
7單元:600V/1200V 75-200A
2單元:600V/1200V 150-400A
1單元:600V/1200V 400-600A
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