長命可控硅模塊
產品詳情
第三代晶閘管模塊,性能優且穩,國際領先。
一、特點
·單向導電性指標,“漏電流”只及標準的1/200且長期穩定。
·高級DBC底板使模塊工作壽命指標,承受冷熱沖擊次數至少高過標準10倍(氧化鋁DBC底板為5倍)!
·散熱能力最強,同等條件溫升最低,避免快速熱老化擊穿。
·浪涌電流為額定值的19~42倍(標準16倍)。
·電壓臨界上升率高 dv/dt≥1000v/μs,不易誤觸發。
·額定電流3~4倍(標準為1倍)時,管壓降只有1.2~1.7V。
·配上瞬態衰減器,可承受4KV脈沖群、浪涌過電壓,避免快速電老化擊穿,耐壓無須超過1600V。
它以前太貴,工藝新突破使工業級產品的價格降到與國產可控硅模塊差不多,便于普及應用。
二、電連接
模塊內含有二個晶閘管芯;通用電連接型式,代號為C,見下圖。1、2、3為功率端,配有不銹鋼螺釘,可作為一個整流臂,用于直流電路;也可把2、3短接成一個端,1為另一端,構成“反并聯”連接,用于交流電路。5、6端分別為對應的晶閘管的門極控制端,可用電線錫焊后引出。
三、主要應用
整流器、充電器、變流器、無功補償節電器、交流調壓器、固態開關等。
四、模塊底板
市面上的晶閘管模塊絕大多數是第一代產品,3mm 厚的銅底板沉甸甸的。銅板、陶瓷層、硅芯片三層材料熱膨脹系數相差很大,冷熱沖擊使層間開裂損壞,屬淘汰產品。
第二代晶閘管模塊采用氧化鋁DBC(Direct Bonding Copper)底板,由0.3mm薄銅皮與氧化鋁(白色)鍵合成一體難以開裂,見圖2。但是氧化鋁的熱膨脹系數與硅芯片相差還不夠小,二者之間還會微裂。
第三代晶閘管模塊采用高級DBC底板,見圖3,由0.3mm薄銅皮與高級陶瓷層(白色)鍵合而成一體難以開裂。而且高級陶瓷層與硅芯片的熱膨脹系數相接近,也不易開裂。福建省電子產品監督檢測所測試證實:產品耐用性指標“承受冷熱循環次數”達到JB/T7826-1995(即IEC TC47)標準的10倍以上。模塊“工作壽命”難題才得到滿意解決。目前國際上只有個別廠家能生產(第三代)長命晶閘管模塊。
五、應用要點
1、模塊額定電流Irms(有效值)應按其I2t選擇。一般模塊電流 Irms應大于負載額定電流的2~4倍。此外還應考慮啟動電流的倍數和啟動時間。
2、外加過電流保護電路可在電流超限時立即停止觸發信號,卻無法阻止晶閘管繼續導通至零電流為止,因為晶閘管是不可關斷器件。所以這種保護不完全,晶閘管過電流和短路保護用快速熔斷器最可靠。
3、實踐證明,380V星形連接應選擇1600V的晶閘管,還應加衰減器方可承受4KV瞬態電壓,避免晶閘管快速電老化擊穿,大大延長工作壽命。衰減器連接在1、2和2、3之間,2~3年更新1次。
六、模塊安裝
1、模塊底板與散熱器之間的接觸面一定要平整、光滑、清潔;如有毛刺、沙礫,可能刺傷底板電擊穿。二接觸面之間應墊上本公司的絕緣導熱墊片(一次性使用);再用螺釘適度擰緊。
2、外接導線的端頭應焊接銅鼻,再用不銹鋼螺釘連接銅鼻與模塊功率端;接觸面之間涂導電膏避免接頭過熱,有利防腐防氧化。銅鼻最好鍍銀,連接孔約Ф6,不宜過大。
3、安裝尺寸:圖1;2;3分別對應型號MTC27、50、60、115;MTC130、180;MTC250、320、500。..
七、型號
八、技術數據表
參數
型
號
MTC27-16CM
MTC49-16CM
MTC60-16CM
MTC116-16CM
MTC130-16CM
MTC181-16CM
MTC250-16CM
MTC320-16CM
MC500-16CM
電流
有效Irms
50 A
80 A
100 A
180 A
300 A
300 A
400 A
500 A
785A
平均Iavm
25 A
49 A
60 A
116 A
130 A
181 A
250 A
320 A
500A
浪涌電流倍數Ism/Iavm
19
倍
23
倍
25
倍
19
倍
42
倍
33
倍
34
倍
29
倍
30
倍
峰值電壓Vrrm
每個管芯1600V,另加瞬態衰減器可承受4KV脈沖群、浪涌電壓沖擊
I2t, K*A2S
1.35
6.6
11.2
25.3
150
180
360
420
1120
di/dt,A/μS
150
100
dv/dt,V/μS
1000
門極功率Pgm
10 W
120 W
最高結溫Tvjm
125℃
140℃
漏電流Irrm
3 mA
5 mA
10 mA
70 mA
當It=? A時
正向管壓降Vt
80A
200A
300A
600A
1200A
1.65V
1.75V
1.57V
1.50V
1.36
1.25V
1.36
1.32
1.3V
門極
電壓
Vto
0.85
0.80
0.85
0.80
反向
峰值 Vrgm= 10V
門極
觸發
電壓
Vgt=1.5 V
2.5V
Vgt=2 V
電流
Igt=100 mA
150 mA
門極不觸發電壓Vgd=0.25V、門極不觸發電流=Igd=10Ma;絕緣底板耐壓3KV,另加導熱絕緣片。
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