絕緣柵雙極晶體管IGBT特性與研發（一）
作者：周志敏 上傳時間：2005/3/19 16:20:49
摘要：本文闡述了絕緣柵雙極晶體管IGBT的結構、靜態、動態特性、工作原理、關鍵技術及其應用情況，結合國內IGBT的發展現狀，探討了IGBT研發的技術動向。
敘詞：IGBT 結構 工作原理 特性 研制
Abstract：This paper elaborate insulated-gate bipolar transistor IGBT frame and static state and dynamic characteristic and work elements and develop aspect ，combine domestic IGBT developactuality，discuss IGBT develop technique pulse。
Keyword：IGBT frame work elements characteristic develop
說明：本站會員正確輸入用戶名和密碼進行登錄系統后才能查看文章詳細內容和參與評論。
－－本文摘自《電源世界》，已被閱讀4375次
免責聲明：本文僅代表作者個人觀點，與電源在線網無關。其原創性以及文中陳述文字和內容未經本站證實，對本文以及其中全部或者部分內容、文字的真實性、完整性、及時性本站不作任何保證或承諾，請讀者僅作參考，并請自行核實相關內容。
：0755-82905460 郵箱 
：關于本文的網友評論：
本文暫時還沒有網友發表評論信息！
文章檢索