用于未來軌道牽引電路的雙SiC MOSFET 模塊的特性檢測
作者：張斌 上傳時間：2013/4/14 16:41:51
摘要：硅IGBT 已經廣泛用于軌道牽引變頻器，不久的將來，碳化硅(SiC) 技術將在3 個方向上進一步擴展開關器件的極限：更高的阻斷電壓、更高的工作溫度和更高的開關速度。如今，第一批SiC MOSFET 模塊已經有效的投向市場，并且很有希望。雖然目前在阻斷電壓方面仍有待提高，但這些寬禁帶器件將大大改善牽引電路的效率，尤其是在開關損耗上預期會有顯著的降低，從而導致功率- 重量比的大幅改善。
敘詞：IGBT，SiC，MOSFET，模塊，開關損耗，軌道牽引變頻器
Keyword：IGBT, SiC MOSFET, Module, Switch loss, Rail traction transducer
說明：本站會員正確輸入用戶名和密碼進行登錄系統后才能查看文章詳細內容和參與評論。
－－本文摘自《電源世界》，已被閱讀9042次
免責聲明：本文僅代表作者個人觀點，與電源在線網無關。其原創性以及文中陳述文字和內容未經本站證實，對本文以及其中全部或者部分內容、文字的真實性、完整性、及時性本站不作任何保證或承諾，請讀者僅作參考，并請自行核實相關內容。
：0755-82905460 郵箱 
：
文章檢索