電壓降僅為50mV的MOSFET冗余模塊YR80.241
作者：普爾世貿易（蘇州）有限公司 上傳時間：2011/9/8 11:50:23
摘要：本文介紹了普爾世MOSFET技術冗余模塊產品的技術特點，以及與傳統冗余模塊的性能對比，并對其功率損耗做了分析。
敘詞：冗余模塊 功率損耗 二極管
Abstract：The article introduces the technical characteristic of the PULS redundancy module with the MOSFET technology, and the comparison with the traditional diode redundancy module. Analyze the Power loss of the module.
Keyword：Redundancy module, Power loss, Diode
說明：本站會員正確輸入用戶名和密碼進行登錄系統后才能查看文章詳細內容和參與評論。
－－本文摘自《電源世界》，已被閱讀8371次
免責聲明：本文僅代表作者個人觀點，與電源在線網無關。其原創性以及文中陳述文字和內容未經本站證實，對本文以及其中全部或者部分內容、文字的真實性、完整性、及時性本站不作任何保證或承諾，請讀者僅作參考，并請自行核實相關內容。
：0755-82905460 郵箱 
：關于本文的網友評論：
本文暫時還沒有網友發表評論信息！
文章檢索