航天級可編程邏輯器件(FPGA)需要包含其引導配置的可靠的高容量非易失性存儲器。為滿足對高可靠性存儲器日益增長的需求,英飛凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)旗下的Infineon Technologies LLC近日宣布推出業界首款高容量抗輻射(RadTol)NOR閃存產品,該產品通過了MIL-PRF-38535 QML-V流程認證。QML-V流程是航天級IC的最高質量和可靠性標準認證。
英飛凌的256 Mb和512 Mb RadTol NOR Flash非易失性存儲器可帶來出色的低引腳數單芯片解決方案,適用于FPGA配置、圖像存儲、微控制器數據和引導代碼存儲等應用場合。在更高時鐘速率下使用時,器件支持的數據傳輸可媲美或超越傳統的并行異步NOR閃存,同時顯著減少引腳數。這款器件的抗輻射性能高達30 krad(Si)偏置和125 krad(Si)無偏置。在125°C時,這款器件耐久性達到1000次編程/擦除周期,數據保留期限為30年,在85°C時可達到1萬次編程/擦除周期,數據保留期限為250年。
作為航天級存儲器產品的領導者,英飛凌利用65 nm浮柵閃存工藝技術開發出RadTol 256 Mb Quad SPI(QSPI)和512 Mb Dual Quad SPI NOR Flash。二者都具有133 MHz SDR接口速度。512 Mb器件包括兩個獨立的256 Mb裸片,它們采用單個封裝解決方案并排裝配。這樣,設計人員可以靈活地在任一裸片上以雙QSPI或單QSPI模式獨立運行器件,從而為其提供使用第二個裸片作為備份解決方案的選項。英飛凌正與賽靈思等領先的FPGA生態系統公司就航天級應用展開密切合作。
Infineon Technologies LLC航空航天與國防業務副總裁Helmut Puchner表示:“我們的抗輻射雙QSPI非易失性存儲器獲得最新航天級FPGA的全面支持。它們可以帶來出色的低引腳數單芯片解決方案來配置處理器和FPGA。譬如,Xilinx Kintex®UltraScale XQRKU060的整個圖像可以在Dual Quad模式下在大約0.2秒內加載。”
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