近期,隨著IGBT封裝線全面投產,南車株洲電力機車研究所有限公司的6英寸大功率半導體器件研發及產業化基地正式建成。
該項目投資3.5億元,占地4公頃,總建筑面積2.2萬平方米,于2007年啟動建設,工藝裝備和測試設備達到世界一流水準,主要生產6英寸、5英寸高壓大電流晶閘管和整流管,年生產能力達6萬只模塊。
近年,電力電子技術迅速發展,具有關斷能力的功率半導體器件成為市場主流。IGBT已成為電機控制和功率變換器首選器件,在軌道牽引系統中普遍應用,并成為節能技術和低碳經濟的主要支撐,還可廣泛應用于可再生能源發電、智能配電與控制、分布式發電、電力牽引等領域。“時代電氣”大功率IGBT封裝線的投產,填補了我國基礎工業中先進電力電子器件的空白。
據悉,該基地建成投產后,將滿足我國軌道交通、智能電網、新能源等重要領域對電力電子器件的強大需求,打破國外公司的技術壟斷,全面提升我國電力電子產業的技術水平!
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本文鏈接:南車株機所填補我國先進電力電子器件的空
http:www.mangadaku.com/news/2010-3/20103169121.html
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文章標簽: 電力電子/器件/功率半導體器件/IGB

