薄膜電阻器提供不滲透硫的解決方案

　　厚膜電阻器的內部端接通常都不同程度地采用了鍍銀/鈀工藝。這些相對廉價的端接材料具有更高的銀含量，但通常正是內部端接中的銀容易受到硫的污染。

　　盡管有可能找到銀含量更低的厚膜材料，但至今為止，這些備選材料都需要更高的成本，因此批量生產似乎不太可能。另一方面，薄膜片狀電阻器使用濺射的、以鎳鉻鐵合金為主要材質的內部端接，不含銀且通常也不包含任何其他貴金屬。這意味著鎳鉻鐵合金薄膜材料的價位比那些金、鈀或鉑含量更高的厚膜材料更為穩定。

　　只有內部端接不包含銀或銅質材料的片狀電阻器，或者那些內部端接由硫無法滲透的中間層加以保護的片狀電阻器，才能夠完全不受硫污染的影響。市場上存在具有競爭力的基于厚膜的解決方案，它們有一定防硫效果，但仍不能完全避免硫污染——時間一長，它們最終也會失效，變成開路。

　　同樣，我們知道，浸鍍的保護性鈍化層的不重合也可能會使得硫污染的影響更為嚴重。在這種情況下，降低浸渡工藝的速度可以將這種效應降至最低，但這樣做也會增加制造成本并降低制造產能。因為薄膜內部端接不受硫污染的影響，所以這一工藝的精度并不重要。

　　很明顯，就其內部端接而言，薄膜電阻器技術可以更好地抵抗硫污染。除此之外，采用薄膜技術的電阻器也具有整體穩定性、更低的噪聲以及更低的寄生電容和電感（取決于電阻值）。圖2展示了常見的薄膜電阻器，它比厚膜片狀電阻器有顯著的改善，特別是它的電阻值較大。

圖2 額定電阻值而變化的典型電流噪聲等級

　　在過去，這種電噪聲更低的改進措施只有在高端音頻應用中才能體現其重要性。但是，厚膜電阻器難以滿足目前最新的高速通信設備，例如路由器、網橋和DSL調制解調器等對噪聲的要求。許多因素導致厚膜電阻器的噪聲更大，薄膜和厚膜技術最顯著的一個差異體現在激光修整特性上。一旦燒制成功，厚膜材料的性狀實際上與玻璃類似。因此，隨著材料的冷卻，激光修整會在修整區域周圍形成許多細小的微裂痕。這些微裂痕是寄生電容和錯誤電流路徑的一種來源，所有這些都會固有地導致對高速通信信號的處理性能的下降。