IR 推出采用4×5 PQFN功率模塊封裝的25V IRFH4257D FastIRFET雙功率MOSFET

    全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用高性能4×5 PQFN 功率模塊封裝的IRFH4257D FastIRFET 雙功率MOSFET。這項新的封裝拓展了IR的功率模塊系列的功能，使其可用于更低功率的緊湊型設計，適合12V輸入DC-DC同步降壓應用，包括先進的電信和網絡通信設備、服務器、顯示適配器、臺式電腦、超極本 (Ultrabook) 及筆記本電腦等應用。

    IRFH4257D采用IR的新一代硅技術和封裝專利技術，以緊湊的4×5功率模塊提供卓越的熱性能、低導通電阻 (RDS(on)) 和柵極電荷 (Qg) ，帶來一流的功率密度和更低的開關損耗。

    IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：“與IR的其它FastIRFET器件一樣，IRFH4257D可與各種控制器或驅動器共同操作，為單相位或多相位應用提供靈活的設計，同時實現更高的電流、效率和頻率。隨著 IRFH4257D加入IR的功率模塊系列，設計師可選擇能滿足其設計要求的 4×5或5×6 PQFN封裝。”

    IRFH4257D符合工業級標準和第一級濕度敏感度 (MSL1) 標準，所采用的物料清單環保、不含鉛，并符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS)。

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