Vishay Siliconix推出業內最低導通電阻的新型20VP通道TrenchFET®第三代功率MOSFET

該器件采用SO-8封裝，在10V及4.5V時分別提供1.9mΩ和2.5mΩ的業內最低導通電阻

    賓夕法尼亞、MALVERN—2009年3月10日—日前，Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE 股市代號：VSH）發布采用其新型p通道TrenchFET®第三代技術的首款器件---Si7137DP，該20Vp通道MOSFET采用SO-8封裝，具備業內最低的導通電阻。

    新型Si7137DP具有1.9mΩ（在10V時）、2.5mΩ（在4.5V時）和3.9mΩ（在2.5V時）的超低導通電阻。TrenchFET第三代MOSFET的低導通電阻意味著更低的傳導損耗，從而確保器件可以比之前市面上p通道功率MOSFET更低的功耗執行切換任務。

    Si7137DP將用作適配器開關，用于筆記本電腦及工業/通用系統中的負載切換應用。適配器開關（在適配器/墻壁電源和電池電源間切換）一直處于導通狀態，消耗電流。Si7137DP的低導通電阻能耗低，節省電力并延長兩次充電間的電池可用時間。

    對于使用20V器件足夠的應用，Si7137DP令設計人員無須依賴30V功率MOSFET，直到最近30V功率MOSFET才成為具有如此低導通電阻范圍的唯一p通道器件。最接近的同類20Vp通道器件具有12-V以上的柵極至源極額定值，在4.5V柵極驅動時導通電阻為14mΩ，且沒有10V柵極至源極電壓的特點。在同類30V器件中，采用SO-8封裝尺寸的最低p通道導通電阻在10V及4.5V時分別為3.5mΩ和6.3mΩ，約為Si7137DP的一倍。

    Vishay將在2009年發布具有各種額定電壓及封裝選擇的其他p通道TrenchFET第三代功率MOSFET。今天發布的該器件100%通過Rg和UIS認證，且不含鹵素。

    目前，新型Si7137DP TrenchFET功率MOSFET可提供樣品，并已實現量產，大宗訂單的供貨周期為10至12周�！究蓮囊韵戮W址下載高分辨率圖像(<500K)：http://www.vishaypr.com/photopost/showphoto.php?photo=474】

VISHAY SILICONIX簡介
Vishay Siliconix是現今世界上排名第一的低壓功率MOSFET和用于在計算機、蜂窩電話和通信基礎設備的管理和功率轉換以及控制計算機磁盤驅動和汽車系統的固態開關的供應商。Vishay Siliconix的硅技術和封裝產品的里程碑，包括在業內建成第一個基于槽硅工藝（TrenchFET®）的功率型MOSFET和業內第一個小型的表面貼裝的功率型MOSFET(LITTLE FOOT®)。
創新的傳統不斷的衍生出新的硅技術，例如被設計用來在直流電到直流電的轉換和負荷切換的應用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技術，以及可以滿足客戶需求的更佳熱性能(PowerPAK®)和更小空間(ChipFET®，MICRO FOOT®)新的封裝選擇。除了功率MOSFET外，Vishay Siliconix的產品還包括功率集成電路和業界最杰出的模擬交換和多路復用器的線路。Vishay Siliconix功率集成電路的發展不僅專注于應用在蜂窩電話、筆記本計算機、和固定電信基礎設備的功率轉換元件，而且也同樣關注低電壓、約束空間的新型模擬開關集成電路。
Siliconix創建于1962年，在1996年Vishay購買了其80.4%的股份使其成為Vishay子公司。

VISHAY簡介
Vishay Intertechnology,Inc.是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1,000強企業”，是全球分立半導體（二極管、整流器、晶體管、光電器件及某些精選IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫療市場的各種類型的電子設備。憑借產品創新、成功的收購戰略，以及提供“一站式”服務的能力使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網站www.vishay.com。
TrenchFET®和PowerPAK®是Siliconix Incorporated的注冊商標。