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<P> 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品，已于今日開始出貨。</P> <P align=center> <IMG border=0 src="/uploadfile/newspic/20220831094712228.jpg"></P> <P> 新產品的單位面積導通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%[3]，從而使“漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%[4]，這是體現導通損耗與開關損耗間關系的重要指標。這樣可以將開關損耗減少大約20%[5]，同時降低導通電阻和開關損耗。因此，新產品有助于提高設備效率。</P> <P> 東芝將進一步壯大其功率器件產品線，強化生產設施，并通過提供易于使用的高性能功率器件，努力實現碳中和經濟。</P> <P> 應用：</P> <P> -開關電源（服務器、數據中心、通信設備等）</P> <P> -電動汽車充電站</P> <P> -光伏變頻器</P> <P> -不間斷電源（UPS）</P> <P> 特性：</P> <P> -單位面積導通電阻低（RDS(ON)A）</P> <P> -低漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）</P> <P> -低二極管正向電壓：VDSF＝-1.35V（典型值）VGS＝-5V</P> <P> 主要規格：</P> <P align=right> �。ǔ橇碛姓f明，Ta＝25℃）</P> <P align=center><IMG style="WIDTH: 474px; HEIGHT: 409px" border=0 src="/uploadfile/newspic/20220831094723795.jpg" width=738 height=507></P> <P> 注：</P> <P> [1]通過采用為第二代SiC MOSFET開發的內置肖特基勢壘二極管的架構，東芝開發出一種可降低單位面積導通電阻（RDS(ON)A），同時降低JFET區域反饋電容的器件架構。</P> <P> [2]MOSFET：金屬氧化物半導體場效應晶體管。</P> <P> [3]當第二代SiC MOSFET的RDS(ON)A被設為1時，與新款1200V SiC MOSFET比較。東芝調研。</P> <P> [4]當第二代SiC MOSFET的RDS(ON)*Qgd被設為1時，與新款1200V SiC MOSFET比較。東芝調研。</P> <P> [5]新款1200V SiC MOSFET和第二代SiC MOSFET比較。東芝調研。</P>
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