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* 所屬類別： (不超過20項)	電源產品分類： UPS電源穩壓電源 EPS電源變頻電源凈化電源特種電源發電機組開關電源(AC/DC) 逆變電源(DC/AC) 模塊電源(DC/DC) 電源應用分類：通信電源電力電源車載電源軍工電源航空航天電源工控電源 PC電源 LED電源電鍍電源焊接電源加熱電源醫療電源家電電源便攜式電源充電機(器) 勵磁電源電源配套分類：功率器件防雷浪涌測試儀器電磁兼容電源IC 電池/蓄電池電池檢測變壓器傳感器軸流風機電子元件連接器及端子散熱器電解電容 PCB/輔助材料新能源分類：太陽能(光伏發電) 風能發電潮汐發電水利發電燃料電池其他類：其他
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* 內容：	<P>　　隨著數據中心對人工智能和機器學習（AI/ML）的利用率越來越高，大量數據不斷被產生和消耗，這給數據中心快速而高效地存儲、移動和分析數據提出了巨大挑戰。</P> <P>　　而中國的情況尤其如此：隨著中國不斷推進人工智能的發展，對高性能處理的需求持續增長，而傳統數據中心已然成為必須解決的瓶頸。為應對這一挑戰，中國公布了《新型數據中心發展三年行動計劃》。與傳統數據中心相比，新型數據中心具有高技術、高算力、高能效和高安全的特征。</P> <P>　　在市場需求和產業政策支持的雙驅動下，數據中心服務器迫切需要更大的內存帶寬和容量，以更好地支持AI/ML的持續發展。</P> <P align=center><IMG border=0 src="/uploadfile/newspic/20211222160920922.jpg"></P> <P>　　自2013年推出以來，高帶寬存儲器（HBM）日益被視為將數據中心服務器和AI加速器的性能提升至新高度的理想方式之一。HBM是一種基于3D堆棧工藝的高性能SDRAM架構，能夠實現巨大的內存帶寬。</P> <P>　　2018年年底，JEDEC固態技術協會宣布了HBM2E標準，以支持更高的帶寬和容量。HBM2E每個引腳的傳輸速率上升到3.6Gbps，可以實現每個堆棧461GB/s的內存帶寬。此外，HBM2E最高支持12個DRAM的堆棧高度，并且單堆棧內存容量高達24GB。</P> <P>　　在HBM2E中，四個連接到處理器的堆棧將提供超過1.8TB/s的帶寬。通過內存的3D堆疊，HBM2E可以在極小的空間內實現高帶寬和高容量。在此基礎上，下一代的HBM3內存將數據傳輸速率和容量推向了新的高度。</P> <P>　　Rambus HBM3內存子系統針對高帶寬和低延遲進行了專門優化，能夠以緊湊的架構和高效能的封裝提供最佳的性能和靈活性。這一解決方案由完全集成的PHY和數字控制器組成，包含完整的HBM3內存子系統。</P> <P>　　相比HBM2E，Rambus HBM3內存子系統將最大數據傳輸速率提高了一倍以上，達到每個數據引腳8.4Gbps（當此速度下的DRAM可用時）。該系統接口具有16個獨立通道，每個通道包含64位，總數據寬度為1024位。在最大數據傳輸速率下，可以提供1075.2GB/s的總接口帶寬，換言之，帶寬超過1TB/s。</P> <P align=center><IMG border=0 src="/uploadfile/newspic/20211222160906663.jpg"></P> <P>　　這一內存子系統專為2.5D架構設計，帶有一個內插器，以在SoC上的3D DRAM堆棧和PHY之間傳輸信號。同時，這種信號密度和堆疊架構的組合還要求特殊的設計考量。為提高設計的易實施性和靈活性，Rambus對整個2.5D架構的內存子系統進行了完整的信號和電源完整性分析，以確保滿足所有的信號、電源和熱量要求。除此之外，Rambus還提供中介層參考設計。</P> <P>　　憑借在高速信號處理方面逾30年的專業知識，以及在2.5D內存系統架構設計和實現方面的深厚積淀，Rambus正引領HBM的演變。Rambus提供了業界最快的HBM2E內存子系統；如今通過數據傳輸速率高達8.4Gbps的HBM3內存子系統，Rambus更進一步地提高了HBM的帶寬標準。</P>

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