Phase11 熱阻測試儀

一、原廠介紹及用途：

熱阻測試儀設備，型號：Phase11,生產廠家：美國 Analysis Tech Inc(簡稱：Anatech)公司，設備符合美軍標和JEDEC標準. Analysis Tech Inc.成立于 1983 年，坐落于波士頓北部，是電子封裝器件可靠 性測試的國際設計，制造公司。創始人 John W.Sofia 是美國麻省理工的博士，并且是提出焊點可靠性,熱阻分析和熱導率理論的專家. 發表了很多關于熱阻測試于分析，熱導率及焊點可靠性方面的論文. Analysis Tech Inc.在美國有獨立的實驗室提供技術支持. 在全世界熱阻測試儀這套設備有幾百家知名用戶。

    主要用于測試二極管，三極管，線形調壓器，可控硅，LED，MOSFET，MESFET ,IGBT，IC 等分立功率器件的熱阻測試

分析。

二、Phase11 的功能：

PHASE11 可以測試 Rja，Rjc，Rjb Rjl 的熱阻（測試原理符合 JEDEC51-1 定義的動態及靜態測試 方法）

1） 瞬態阻抗(Thermal Impedance)測試，可以得到從開始加熱到結溫達到穩定這一過程中的瞬態阻抗數據。

2） 穩態熱阻(Thermal Resistance)各項參數的測試，其包括：Rja,Rjb,Rjc,Rjl, 當器件在給一定的工 作電流后。熱量不斷地向外擴散，最后達到了熱平衡，這時得到的結果是穩態熱阻值。在沒有達 到熱平衡之前測試到的是熱阻抗。

3） 可以得到用不同占空比方波測試時的阻抗與熱阻值。

4） 內部封裝結構與其散熱能力的相關性分析(Structure Function)，

5） 裝片質量的分析(Die Attachment Quality Evaluation).

主要測試器件的粘接處的熱阻抗值，如果有粘接層有氣孔，那么傳熱就要受阻，這樣將導致芯片的溫 度上升，因此這個功能能夠衡量粘接工藝的穩定性。

6） 多晶片器件的測試。

以兩個晶片為例：先給其中的晶片

1 加電使其節溫升高然后測試出熱阻 R11 和功率 Q1 同時給另一晶片 2 供感應電流然后測出感應熱阻 R21.再給晶片

2 加電使其節溫升高然后測試出熱阻 R22 節溫和功率 Q2, 同時給另一晶片 1 供感應電流然后測出感應熱阻 R12。根

據熱阻的定義

R=(Tj-Tr)/P 即 R=△T/P

根據上述測試數據做矩陣

    △  T1=R11xQ1+R12xQ2 △T2=R21xQ1+R22xQ2

    此雙晶片模塊的熱阻 R=〔△T1+△T2〕/2*〔Q1+Q2〕

    兩個晶片以上的模塊測試方法和上述方法相同

7） SOA Test

8） 浪涌測試

四．設備電性規格：

加熱電流測量精度（低電流測量: 0.2, 1 和2  安培測量）2A 系統: ±1mA    10A系統: ±5mA    20A系統: (±10mA)

加熱電流測量精度（高電流測量: 2, 10 和20  安培測量）2A系統: ±4mA    10A 系統: ±20mA   20A 系統: (±40mA)

加熱電壓測量精度: ±0.25% ，0~50V

熱電偶測量精度(T 型): 典型 ±0.1°C， 最大±0.3°C

交流電壓：220VAC，5A，50/60Hz

器件的最大的供電電壓： 50V（標配）

器件的最大的供電電流： 20  安培(標配)，選配（200A,400A,800A,1000A）

節 溫 的 感 應 電 流：1mA, 5mA, 10mA, 20mA, 50mA(標配)