SVD1N60DB N溝道增強型高壓功率MOS場效應晶體管采用仕蘭微電子的S-Rin^TM平面高壓VDMOS工藝技術制造。先進的工藝及條狀的原胞設計結構使得該產品具有較低的導通電阻、優越的開關性能及很高的雪崩擊穿耐量。
    該產品可廣泛應用于AC-DC開關電源，DC-DC電源轉換器，高壓H橋PMW馬達驅動。
特點：

* 1A，600V，RDS(on)=8.6Ω@VGS=10V
* 低柵極電荷量
* 低反向傳輸電容
* 開關速度快
* 提升了dv/dt 能力
還可提供其它規格：1N60DB、1N60M、1N60B、1N60D、2N60F、2N60M、2N60D、 4N60F、4N60D、4N65F、7N60F、8N60F、10N65F、12N65F、730F、730T、830F、840F